[发明专利]一种阻变薄膜存储器及其制备方法

权利要求书

1.一种阻变薄膜存储器，从下至上依次包括基片、下电极、氧化物薄膜和上电极，其特征在于：所述氧化物薄膜中位于上电极的正下方有离子注入，离子注入的水平投影不超出上电极范围，离子注入的深度h有0＜h≤H，H为氧化物薄膜的总厚度。

2.如权利要求1所述阻变薄膜存储器，其特征在于：所述单个上电极正下方的离子注入数量至少一个。

3.如权利要求1所述阻变薄膜存储器的制备方法，包括以下步骤：

步骤1、在带有下电极的基片的下电极一面制备厚度50-500纳米的氧化物薄膜；

步骤2、采用光刻方法，在氧化物薄膜上覆盖一层光刻胶，使注入区域大小对应图形的掩膜版在光刻机中进行曝光；在完成显影过程之后，需要注入区域没有光刻胶覆盖，其余的区域有光刻胶覆盖；

步骤3、利用离子源对步骤2所制得基片的光刻胶一面进行离子注入，光刻胶未覆盖的区域受到离子的轰击，离子注入的深度h有0＜h≤H，H为氧化物薄膜的总厚度；

步骤4、采用溅射的方法，在步骤3所得基片的氧化物薄膜一侧制备金属上电极，在溅射后，去除光刻胶；所示上电极沉积区域完全覆盖离子注入区域。

4.如权利要求3所述阻变薄膜存储器的制备方法，其特征在于：所述光刻方法采用两次光刻套刻的方法，以调控单个上电极沉积区域内的离子注入区域的数量。

5.如权利要求3所述阻变薄膜存储器的制备方法，其特征在于：所述离子注入的深度h通过调控离子源离子注入的能量和束流实现。