[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201710153356.2 | 申请日： | 2017-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN107192966B | 公开（公告）日： | 2020-12-01 |
| 发明（设计）人： | 岸松雄;高浜未英;高桥宽;海老原美香;飞冈孝明 | 申请（专利权）人： | 艾普凌科有限公司 |
| 主分类号： | G01R33/00 | 分类号： | G01R33/00;G01R33/07;H01L27/22;H01L43/06;H01L43/14 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 叶培勇;付曼 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种半导体装置及其制造方法，其特征在于，具有：设有多个霍尔元件的半导体衬底；以及设在所述半导体衬底上的具有磁会聚功能的磁性体，在所述半导体衬底上的所述磁性体的纵截面外形形状中，作为在该外周部的至少一部分具有大致1/4圆形状的部分和与它相连的部分，具有与所述半导体衬底大致平行的部分。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，具有：设有多个霍尔元件的半导体衬底；以及在所述半导体衬底之上隔着保护层而设置的具备磁会聚功能的磁性体，其特征在于，所述磁性体的纵截面的外形形状具有外周部，所述外周部的至少一部分包括具有曲面形状的部分和与所述具有曲面形状的部分相连的与所述半导体衬底大致平行的部分，在所述大致平行的部分与所述保护层之间具有间隙。
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