[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，具有：设有多个霍尔元件的半导体衬底；以及在所述半导体衬底之上隔着保护层而设置的具备磁会聚功能的磁性体，其特征在于，

所述磁性体的纵截面的外形形状具有外周部，

所述外周部的至少一部分包括具有曲面形状的部分和与所述具有曲面形状的部分相连的与所述半导体衬底大致平行的部分，

至少在设有所述霍尔元件的所述半导体衬底上的霍尔元件区域的整个上方区域，在所述磁性体的所述大致平行的部分与所述保护层之间具有间隙。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述具有曲面形状的部分具有大致1/4圆形形状。

3.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于：所述磁性体的纵截面的大致1/4圆形形状的一个终端部上的切线方向相对于所述半导体衬底处于大致垂直的关系。

4.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于：作为与成为所述磁性体的纵截面的外周部的一部分的大致1/4圆形形状的一个终端部相连的部分，具有与所述半导体衬底平行的部分，该平行的部分具有至少部分地覆盖所述霍尔元件区域的上方的部分。

5.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：进一步设有连接所述半导体衬底和所述磁性体的基底层，所述基底层至少不覆盖所述霍尔元件区域的整个上方区域。

6.一种半导体装置的制造方法，该半导体装置具有：设有多个霍尔元件的半导体衬底；以及设于所述半导体衬底的具备磁会聚功能的磁性体，该制造方法的特征在于，具有：

在所述半导体衬底的表面埋入形成所述多个霍尔元件的工序；

在所述霍尔元件上形成由绝缘物构成的保护层的工序；

形成导电性膜的工序；

形成具有不落入至少设有所述霍尔元件的所述半导体衬底上的霍尔元件区域的整个上方区域的开口的镀敷抗蚀剂层的工序；以及

利用湿式镀敷法使磁性体从镀敷抗蚀剂开口部上部的抗蚀剂端部相对于抗蚀剂垂直方向及平行方向各向同性且至少不覆盖所述霍尔元件区域的整个上方区域地生长的磁性体镀敷工序。