[发明专利]立体存储器元件及其制作方法

摘要

一种立体(Three‑Dimensional，3D)存储器元件包括：多层叠层结构(multi‑layer stacks)、接触层、存储层以及通道层。多层叠层结构包括纵向叠层且彼此隔离的多个导电层，并具有一个第一开口和一个第二开口，分别贯穿这些导电层中的至少二层。接触层位于第一开口中，以导通被第一开口贯穿的至少二层导电层。存储层位于第二开口中。通道层覆盖于存储层上，以在存储层和通道层与被第二开口贯穿的至少二个导电层重叠的多个位置(cross points)上形成多个存储单元。

主权项

1.一种立体(Three‑Dimensional，3D)存储器元件，其特征在于，包括：一多层叠层结构(multi‑layer stacks)，包括纵向叠层且彼此隔离的多个导电层，并具有一第一开口和一第二开口，分别贯穿这些导电层的至少二者；一第一接触层，位于该第一开口中，以导通被该第一开口贯穿的至少二个导电层；一存储层，位于第二开口中；以及一通道层，覆盖于该存储层上，以在该存储层和该通道层与被该第二开口贯穿的这些导电层重叠的多个位置(cross points)上形成多个存储单元。