[发明专利]用于制造具有导电聚合物层的屏蔽集成电路封装体的方法在审
| 申请号： | 201710141125.X | 申请日： | 2017-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN107275231A | 公开（公告）日： | 2017-10-20 |
| 发明（设计）人： | R·罗德里奎兹;F·阿雷拉诺;A·M·阿谷唐 | 申请（专利权）人： | 意法半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人： | 王茂华,董典红 |
| 地址： | 菲律宾*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请涉及用于制造具有导电聚合物层的屏蔽集成电路封装体的方法。该方法包括提供多个间隔开的IC裸片，这些IC裸片由衬底承载并且由共用包封材料覆盖，以及在相邻IC裸片之间切穿该共用包封材料，从而限定由该衬底承载的多个间隔开的IC封装体。导电层被定位在这些间隔开的IC封装体之上并且对相邻IC封装体之间的空间进行填充。该方法进一步包括在相邻IC封装体之间并且穿过该衬底来切穿该导电层，从而形成这些屏蔽IC封装体。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 具有 导电 聚合物 屏蔽 集成电路 封装 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制造多个屏蔽集成电路(IC)封装体的方法，所述方法包括：提供多个间隔开的IC裸片，所述多个IC裸片由衬底承载并且由共用包封材料覆盖；在相邻IC裸片之间切穿所述共用包封材料，从而限定由所述衬底承载的多个间隔开的IC封装体；在所述多个间隔开的IC封装体之上定位导电层并且对相邻IC封装体之间空间进行填充；并且在相邻IC封装体之间并且穿过所述衬底来切穿所述导电层，从而形成所述多个屏蔽IC封装体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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