[发明专利]用于制造具有导电聚合物层的屏蔽集成电路封装体的方法

权利要求书

1.一种用于制造多个屏蔽集成电路(IC)封装体的方法，所述方法包括：

提供多个间隔开的IC裸片，所述多个IC裸片由衬底承载并且由共用包封材料覆盖；

在相邻IC裸片之间切穿所述共用包封材料，从而限定由所述衬底承载的多个间隔开的IC封装体；

在所述多个间隔开的IC封装体之上定位导电层并且对相邻IC封装体之间空间进行填充；并且

在相邻IC封装体之间并且穿过所述衬底来切穿所述导电层，从而形成所述多个屏蔽IC封装体。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，定位所述导电层包括：

在所述多个间隔开的IC封装体之上并且在所述相邻IC封装体之间空间之上定位导电聚合物层，其中，所述导电聚合物层是由膜承载的固体材料；

向所述导电聚合物层施加压力和热量，使得所述固体材料转变成软材料，从而在所述多个间隔开的IC封装体之上流动并且对所述相邻IC封装体之间空间进行填充；以及

使所述导电聚合物层从所述软材料冷却回为提供所述导电层的所述固体材料。

3.根据权利要求2所述的方法，进一步包括使所述膜与所述导电层分离。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，在相邻IC裸片之间切割所述包封材料之后，所述衬底被曝露。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述导电层在每个IC封装体的上表面和侧壁上。

6.根据权利要求2所述的方法，其中，所述导电聚合物层包括非导电聚合物，所述非导电聚合物具有混合在其中的导电填料。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述非导电聚合物是热固性的。

8.根据权利要求2所述的方法，其中，被施加至所述导电聚合物层的所述热量在100℃至150℃的范围内。

9.根据权利要求2所述的方法，其中，被施加至所述导电聚合物层的所述压力在200kPa至400kPa的范围内。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述导电层的厚度在5微米至15微米的范围内。

11.一种用于制造多个屏蔽集成电路(IC)封装体的方法，所述方法包括：

提供多个间隔开的IC裸片，所述多个IC裸片由衬底承载并且由共用包封材料覆盖；

在相邻IC裸片之间切穿所述共用包封材料，从而限定由所述衬底承载的多个间隔开的IC封装体，其中，所述衬底在所述切割之后被曝露；

在所述多个间隔开的IC封装体之上定位导电层并且对相邻IC封装体之间空间进行填充，其中，所述导电层在每个IC封装体的上表面和侧壁上；以及

在相邻IC封装体之间并且穿过所述衬底来切穿所述导电层，从而形成所述多个屏蔽IC封装体。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，定位所述导电层包括：

在所述多个间隔开的IC封装体之上并且在所述相邻IC封装体之间空间之上定位导电聚合物层，其中，所述导电聚合物层是由膜承载的固体材料；

向所述导电聚合物层施加压力和热量，使得所述固体材料转变成软材料，从而在所述多个间隔开的IC封装体之上流动并且对所述相邻IC封装体之间空间进行填充；以及

使所述导电聚合物层从所述软材料冷却回为提供所述导电层的所述固体材料。

13.根据权利要求12所述的方法，进一步包括使所述膜与所述导电层分离。

14.根据权利要求12所述的方法，其中，所述导电聚合物层包括非导电聚合物，所述非导电聚合物具有混合在其中的导电填料。

15.根据权利要求14所述的方法，其中，所述非导电聚合物是热固性的。

16.根据权利要求12所述的方法，其中，被施加至所述导电聚合物层的所述热量在100℃至150℃的范围内；并且被施加至所述导电聚合物层的所述压力在200kPa至400kPa的范围内。

17.根据权利要求11所述的方法，其中，所述导电层的厚度在5微米至15微米的范围内。