[发明专利]发光二极管装置有效
申请号: | 201710140604.X | 申请日: | 2013-04-18 |
公开(公告)号: | CN106935698B | 公开(公告)日: | 2019-05-24 |
发明(设计)人: | 叶寅夫;林治民;康桀侑 | 申请(专利权)人: | 亿光电子工业股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/62 | 分类号: | H01L33/62;H01L33/46;H01L33/64;H01L27/15 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 骆希聪 |
地址: | 中国台湾新*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明提出一种发光二极管装置,包括基板、第一发光二极管、第二发光二极管、绝缘层、导线层、反射层、第一接垫以及第二接垫。第一发光二极管设置于基板上且包括第一电极以及第一发光区域。第二发光二极管设置于基板上并与第一发光二极管之间具有间隙。第二发光二极管包括第二电极以及第二发光区域。导线层电性连接第一及第二发光二极管。反射层位于第一发光区域与第一接垫间及第二发光区域与第二接垫间。绝缘层填充于间隙中并位于导线层与反射层之间。绝缘层接触第一及第二发光二极管。第一接垫以及第二接垫分别设置于第一电极以及第二电极上。 | ||
搜索关键词: | 发光二极管 装置 | ||
【主权项】:
1.一种发光二极管装置,包括:一第一发光二极管,包括一第一半导体层、一第二半导体层、一第一电极以及一第一发光区域;一第二发光二极管,与该第一发光二极管之间具有一间隙,该第二发光二极管包括一第三半导体层、一第四半导体层、一第二电极以及一第二发光区域,其中该第三半导体层与该第一半导体层对齐;一导线层,设置于该间隙内且电性连接该第一发光二极管与该第二发光二极管;一第一接垫以及一第二接垫,分别设置于该第一电极以及该第二电极上,并分别与该第一电极以及该第二电极电性连接;以及一反射层,连续地设置于该第一发光二极管、该第二发光二极管及该导线层上,且覆盖该第一发光区域以及该第二发光区域,该反射层位于该第一发光区域与该第一接垫之间,以及该第二发光区域与该第二接垫之间。
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