[发明专利]发光二极管装置有效

专利信息
申请号: 201710140604.X 申请日: 2013-04-18
公开(公告)号: CN106935698B 公开(公告)日: 2019-05-24
发明(设计)人: 叶寅夫;林治民;康桀侑 申请(专利权)人: 亿光电子工业股份有限公司
主分类号: H01L33/62 分类号: H01L33/62;H01L33/46;H01L33/64;H01L27/15
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 骆希聪
地址: 中国台湾新*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 发光二极管 装置
【权利要求书】:

1.一种发光二极管装置,包括:

一第一发光二极管,包括一第一半导体层、一第二半导体层、一第一电极以及一第一发光区域;

一第二发光二极管,与该第一发光二极管之间具有一间隙,该第二发光二极管包括一第三半导体层、一第四半导体层、一第二电极以及一第二发光区域,其中该第三半导体层与该第一半导体层对齐;

一导线层,设置于该间隙内且电性连接该第一发光二极管与该第二发光二极管;

一第一接垫以及一第二接垫,分别设置于该第一电极以及该第二电极上,并分别与该第一电极以及该第二电极电性连接;以及

一反射层,连续地设置于该第一发光二极管、该第二发光二极管及该导线层上,且覆盖该第一发光区域以及该第二发光区域,该反射层位于该第一发光区域与该第一接垫之间,以及该第二发光区域与该第二接垫之间。

2.如权利要求1所述的发光二极管装置,其特征在于,还包括一基板,该第一发光二极管和该第二发光二极管分别设置于该基板上,其中该间隙裸露出部分的该基板。

3.如权利要求2所述的发光二极管装置,其特征在于,该第一发光二极管的该第一半导体层、该第一发光层和该第二半导体层自该基板依序堆叠,其中该第一发光层定义出该第一发光区域,该第一电极设置于该第二半导体层上,该第二发光二极管的该第三半导体层、该第二发光层和该第四半导体层自该基板依序堆叠,其中该第二发光层定义出该第二发光区域,该第二电极设置于该第三半导体层上。

4.如权利要求3所述的发光二极管装置,其特征在于,该导线层电性连接该第一发光二极管的一第三电极以及该第二发光二极管的一第四电极;

其中,该第三电极设置于该第一半导体层上,该第四电极设置于该第四半导体层上。

5.如权利要求3所述的发光二极管装置,其特征在于,该第一半导体层与该第三半导体层为N型半导体层,该第二半导体层与该第四半导体层为P型半导体层。

6.如权利要求1所述的发光二极管装置,其特征在于,还包括一第一绝缘层设置于该导线层与该第一接垫之间,以及该导线层与该第二接垫之间。

7.如权利要求6所述的发光二极管装置,其特征在于,该第一绝缘层覆盖该第一半导体层、该第一发光层、该第二半导体层、该导线层、该第三半导体层、该第二发光层以及该第四半导体层,其中该反射层连续覆盖该第一绝缘层。

8.如权利要求7所述的发光二极管装置,其特征在于,还包括一第二绝缘层,连续覆盖该反射层,藉由该第一绝缘层和该第二绝缘层以包覆该反射层。

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