[发明专利]基于硅-氧化钨纳米线异质结构的气敏元件及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 201710134325.2 | 申请日： | 2017-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN108572196A | 公开（公告）日： | 2018-09-25 |
| 发明（设计）人： | 秦玉香;王泽峰;刘雕;崔震 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | G01N27/12 | 分类号： | G01N27/12;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 天津创智天诚知识产权代理事务所(普通合伙) 12214 | 代理人： | 王秀奎 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开基于硅‑氧化钨纳米线异质结构的气敏元件及其制备方法和应用，以金属辅助化学刻蚀法在单晶硅片上刻蚀形成硅纳米线，使用磁控溅射在硅纳米线上沉积钨薄膜材料层并进行一维氧化钨纳米线的结晶生长，形成硅—钨纳米线异质结构的气敏元件，本发明克服以往基于单纯一维多孔硅纳米线的气敏元器件在灵敏度方面的缺点，结合异质结在结构上具有的纳米协同效应和异质结效应，在发展低工作温度以及快速响应恢复的NO2传感器方面具有非常重要的研究价值与应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化钨纳米线 气敏元件 制备方法和应用 硅纳米线 异质结构 纳米线异质结构 化学刻蚀法 气敏元器件 异质结效应 磁控溅射 单晶硅片 结晶生长 金属辅助 快速响应 协同效应 灵敏度 材料层 多孔硅 纳米线 钨薄膜 异质结 传感器 刻蚀 沉积 应用 恢复 研究 | ||
【主权项】：
1.基于硅‑氧化钨纳米线异质结构的气敏元件，其特征在于，由单晶硅片、一维硅纳米线阵列、氧化钨纳米线和电极组成，在单晶硅片表面且垂直于单晶硅片表面设置一维硅纳米线阵列，在一维硅纳米线阵列中原位设置氧化钨纳米线，并在一维硅纳米线阵列的表面设置电极，在一维硅纳米线阵列中，硅纳米线的平均长度为10μm—15μm，平均直径为300nm—500nm，作为主干；氧化钨纳米线呈现网状，向各个方向生长，作为支干，平均长度在200—500nm，平均直径为10—30nm。
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