[发明专利]隔离型高频低损驱动电路

摘要

本发明涉及电力电子电能变换电路，旨在提供一种隔离型高频低损驱动电路。包括简化为开关管M的MOSFET；该驱动电路还包括方波电源、谐振电感、初级绕组和第一次级绕组；其中，方波电源、谐振电感和初级绕组串联连接；第一次级绕组的一端接到开关管M的门极，开关管M的源极接到第一次级绕组的另一端；初级绕组和第一次级绕组绕在同一个磁芯上构成变压器T1。本发明通过谐振电感和开关管门极输入电容谐振，使得寄生电容上电压呈正弦波形，不仅实现了开关管的驱动，还实现了驱动能量的回收，从而达到减小驱动损耗的目的；而且还能够通过箝位绕组对门极电压进行箝位，防止过高的门极电压损坏开关管。通过增加次级绕组的方式，可以实现对多个开关管的驱动。

主权项

1.一种隔离型高频低损驱动电路，包括简化为开关管M的MOSFET；其特征在于，该驱动电路还包括方波电源、谐振电感、初级绕组和第一次级绕组；其中，方波电源、谐振电感和初级绕组串联连接；第一次级绕组的一端接到开关管M的门极，开关管M的源极接到第一次级绕组的另一端；初级绕组和第一次级绕组绕在同一个磁芯上构成变压器T₁；在变压器上设置箝位绕组T_1c，用于实现对开关管M的门极源极电压的箝位；箝位绕组通过箝位电路网络连接至箝位电压源，所述箝位电路网络是全桥整流电路、中心抽头整流电路或倍压整流电路；所述MOSFET的具体模型中还包括栅源电容C_gs、栅漏电容C_gd、漏源电容C_ds以及体二极管，MOSFET的共源输入电容C_iss为栅源电容与栅漏电容之和。