[发明专利]隔离型高频低损驱动电路

权利要求书

1.一种隔离型高频低损驱动电路，包括简化为开关管M的MOSFET；其特征在于，

该驱动电路还包括方波电源、谐振电感、初级绕组和第一次级绕组；其中，方波电源、谐振电感和初级绕组串联连接；第一次级绕组的一端接到开关管M的门极，开关管M的源极接到第一次级绕组的另一端；初级绕组和第一次级绕组绕在同一个磁芯上构成变压器T₁；

在变压器上设置箝位绕组T_1c，用于实现对开关管M的门极源极电压的箝位；箝位绕组通过箝位电路网络连接至箝位电压源，所述箝位电路网络是全桥整流电路、中心抽头整流电路或倍压整流电路；

所述MOSFET的具体模型中还包括栅源电容C_gs、栅漏电容C_gd、漏源电容C_ds以及体二极管，MOSFET的共源输入电容C_iss为栅源电容与栅漏电容之和。

2.根据权利要求1所述的驱动电路，其特征在于，所述开关管M有两个且每个开关管的驱动电压均为正弦半波，另配置两个辅助的开关管；其中，第一次级绕组的一端接到第一开关管和第二辅助管的门极以及第一辅助管的漏极，第一次级绕组的另一端接到第二开关管和第一辅助管的门极以及第二辅助管的漏极，四个开关管的源极接在一起；第一辅助管与第二辅助管的开通阈值，低于第一开关管与第二开关管的开通阈值。

3.根据权利要求1所述的驱动电路，其特征在于，所述开关管M有两个且每个开关管的驱动电压均为正弦半波，另配置两个辅助的开关管和两个驱动电阻；其中，第一次级绕组的一端接到第一开关管的门极、第二驱动电阻的一端以及第一辅助管的漏极，第二驱动电阻的另一端接到第二辅助管的门极；第一次级绕组的另一端接到第二开关管的门极、第一驱动电阻的一端以及第二辅助管的漏极，第一驱动电阻的另一端接到第一辅助管的门极，四个开关管的源极接在一起；第一辅助管与第二辅助管的开通阈值，低于第一开关管与第二开关管的开通阈值。

4.根据权利要求1所述的驱动电路，其特征在于，所述开关管M有一个且该开关管的驱动电压为正弦半波，另配置两个辅助的开关管和一个辅助电容；其中，第一次级绕组的一端接到第一开关管和第二辅助管的门极以及第一辅助管的漏极；第一次级绕组的另一端接到第一辅助管的门极以及第二辅助管的漏极，三个开关管的源极接在一起，辅助电容并接在第二辅助管的漏极和源极；第一辅助管和第二辅助管的开通阈值低于第一开关管的开通阈值，辅助电容的容值与第一开关管的栅源电容C_gs的容值相近，且误差不大于±40％。

5.据权利要求1所述的驱动电路，其特征在于，所述开关管M有两个且每个开关管的驱动电压均为正弦半波，另配置四个辅助的开关管，第一次级绕组由两个互补绕组组成；其中，第一互补绕组的同名端接到第一开关管和第二辅助管的门极以及第一辅助管的漏极，第一互补绕组的非同名端接到第一辅助管的门极以及第二辅助管的漏极，三个开关管的源极接在一起；第二互补绕组的非同名端接到第二开关管和第四辅助管的门极以及第三辅助管的漏极，第二互补绕组的同名端接到第三辅助管的门极以及第四辅助管的漏极，三个开关管的源极接在一起；初级绕组和两个互补绕组绕在同一个磁芯上构成变压器T₁，四个辅助管的开通阈值低于两个开关管的开通阈值。

6.根据权利要求1至5任意一项中所述的驱动电路，其特征在于，所述方波电源是通过全桥拓扑、半桥拓扑、推挽拓扑、有源箝位拓扑或原边箝位拓扑实现的。

7.根据权利要求1至5任意一项中所述的驱动电路，其特征在于，所述谐振电感是变压器漏感或外加电感。