[发明专利]一种半导体器件及其制作方法和电子装置有效
| 申请号： | 201710131843.9 | 申请日： | 2017-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN108573885B | 公开（公告）日： | 2021-03-23 |
| 发明（设计）人： | 殷原梓 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/768;H01L23/31;H01L21/60;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;张建 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制作方法和电子装置，涉及半导体技术领域。该制作方法包括：提供器件晶圆，在所述器件晶圆上形成用于与封装基板连接的凸块，所述凸块包括密集凸块和孤立凸块，在所述孤立凸块周围形成包围所述孤立凸块的保护墙。本发明的半导体器件制作方法，通过形成保护墙来限制由于封装基板形变引起的应力对孤立凸块的作用，使半导体器件封装芯片质量测试中不容易出现诸如钝化层损伤等问题。该半导体器件由于保护墙的存在具有更好的可靠性和应力抗性。该电子装置包括上述的半导体器件，同样具有上述优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制作方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：提供器件晶圆，在所述器件晶圆上形成用于与封装基板连接的凸块，所述凸块包括密集凸块和孤立凸块，在所述孤立凸块周围形成包围所述孤立凸块的保护墙。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
