[发明专利]测试结构及其形成方法、测试方法

摘要

一种测试结构及其形成方法、测试方法，其中形成方法包括：形成衬底，所述衬底上具有鳍部；在所述鳍部上形成间隔设置的第一掩膜栅结构和第二掩膜栅结构；在所述第一掩膜栅结构和所述第二掩膜栅结构露出的鳍部上形成外延层；在所述外延层上形成相互平行的第一加载电极和第二加载电极以及相互平行的第一感测电极和第二感测电极。本发明技术方案能够使所述外延层的尺寸接近于半导体结构中外延层的尺寸，从而提高所述外延层的性能与半导体结构中外延层的性能的一致性，从而有利于提高所述测试结构所获得外延层电阻测试的测试精度。

主权项

1.一种测试结构，其特征在于，包括：衬底；鳍部，位于所述衬底上；第一掩膜栅结构，位于所述鳍部上，所述第一掩膜栅结构横跨所述鳍部且覆盖所述鳍部部分顶部和部分侧壁的表面；第二掩膜栅结构，位于所述鳍部上，所述第二掩膜栅结构横跨所述鳍部且覆盖所述鳍部部分顶部和部分侧壁的表面，所述第二掩膜栅结构与所述第一掩膜栅结构之间存在间隔；外延层，位于所述第一掩膜栅结构和所述第二掩膜栅结构露出的鳍部上，所述外延层内具有掺杂离子；第一加载电极和第二加载电极，平行设置于所述外延层上，用于向所述外延层施加电流；第一感测电极和第二感测电极，平行设置于所述第一掩膜栅结构和所述第二掩膜栅结构之间的外延层上，用于获得所述第一感测电极和所述第二感测电极之间外延层两端的电压；其中，所述第一掩膜栅结构位于所述第一感测电极和所述第一加载电极之间，所述第二掩膜栅结构位于所述第二感测电极和所述第二加载电极之间。