[发明专利]测试结构及其形成方法、测试方法有效
申请号: | 201710131317.2 | 申请日: | 2017-03-07 |
公开(公告)号: | CN108573884B | 公开(公告)日: | 2020-06-09 |
发明(设计)人: | 周飞 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 吴敏 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 测试 结构 及其 形成 方法 | ||
1.一种测试结构,其特征在于,包括:
衬底;
鳍部,位于所述衬底上;
第一掩膜栅结构,位于所述鳍部上,所述第一掩膜栅结构横跨所述鳍部且覆盖所述鳍部部分顶部和部分侧壁的表面;
第二掩膜栅结构,位于所述鳍部上,所述第二掩膜栅结构横跨所述鳍部且覆盖所述鳍部部分顶部和部分侧壁的表面,所述第二掩膜栅结构与所述第一掩膜栅结构之间存在间隔;
外延层,位于所述第一掩膜栅结构和所述第二掩膜栅结构露出的鳍部上,所述外延层内具有掺杂离子;
第一加载电极和第二加载电极,平行设置于所述外延层上,用于向所述外延层施加电流;
第一感测电极和第二感测电极,平行设置于所述第一掩膜栅结构和所述第二掩膜栅结构之间的外延层上,用于获得所述第一感测电极和所述第二感测电极之间外延层两端的电压;
其中,所述第一掩膜栅结构位于所述第一感测电极和所述第一加载电极之间,所述第二掩膜栅结构位于所述第二感测电极和所述第二加载电极之间。
2.如权利要求1所述的测试结构,其特征在于,沿所述鳍部延伸方向,所述第一掩膜栅结构和所述第二掩膜栅结构之间距离140nm到3000nm范围内。
3.如权利要求1或2所述的测试结构,其特征在于,所述第一掩膜栅结构与所述第二掩膜栅结构平行设置。
4.如权利要求1所述的测试结构,其特征在于,所述鳍部的数量为多个;
所述第一掩膜栅结构位于多个鳍部上,且横跨所述多个鳍部,覆盖所述多个鳍部部分顶部和部分侧壁的表面;
所述第二掩膜栅结构位于多个鳍部上,且横跨所述多个鳍部,覆盖所述多个鳍部部分顶部和部分侧壁的表面。
5.如权利要求1所述的测试结构,其特征在于,所述测试结构还包括:
第三掩膜栅结构,位于所述第一掩膜栅结构远离所述第二掩膜栅结构一侧的鳍部上,所述第三掩膜栅结构横跨所述鳍部且覆盖所述鳍部部分顶部和部分侧壁的表面;
第四掩膜栅结构,位于所述第二掩膜栅结构远离所述第一掩膜栅结构一侧的鳍部上,所述第四掩膜栅结构横跨所述鳍部且覆盖所述鳍部部分顶部和部分侧壁的表面;
所述外延层位于所述第一掩膜栅结构、所述第二掩膜栅结构、所述第三掩膜栅结构和所述第四掩膜栅结构露出的鳍部上;
所述第一加载电极位于所述第三掩膜栅结构和所述第一掩膜栅结构之间的外延层上;
所述第二加载电极位于所述第四掩膜栅结构和所述第二掩膜栅结构之间的外延层上。
6.如权利要求5所述的测试结构,其特征在于,所述第一掩膜栅结构、所述第二掩膜栅结构、所述第三掩膜栅结构以及所述第四掩膜栅结构为金属掩膜栅结构。
7.如权利要求1所述的测试结构,其特征在于,平行衬底表面的平面内,所述鳍部延伸方向为第一方向,垂直所述鳍部延伸方向为第二方向;
所述第一加载电极为长条形,沿所述第二方向,向所述鳍部的一侧延伸;
所述第二加载电极为长条形,沿所述第二方向,向所述鳍部的另一侧延伸。
8.如权利要求1所述的测试结构,其特征在于,平行衬底表面的平面内,所述鳍部延伸方向为第一方向,垂直所述鳍部延伸方向为第二方向;
所述第一感测电极为长条形,沿所述第二方向,向所述鳍部的一侧延伸;
所述第二感测电极为长条形,沿所述第二方向,向所述鳍部的另一侧延伸。
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