[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201710120963.9 | 申请日： | 2017-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN107845683B | 公开（公告）日： | 2021-03-12 |
| 发明（设计）人： | 大田刚志;古川大 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/16 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 徐殿军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的实施方式提供一种能够使可靠性提高的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：第1电极；第2电极；栅电极；第1导电型的第1碳化硅区域，设于第1电极与第2电极之间；第1导电型的第2碳化硅区域，设于第1电极与第1碳化硅区域之间，且第1导电型杂质的杂质浓度高于第1碳化硅区域；第2导电型的第3碳化硅区域，设于第1电极与第2碳化硅区域之间；第1导电型的第4碳化硅区域，设于第1电极与第3碳化硅区域之间；第1导电型的第5碳化硅区域，设于栅电极与第2碳化硅区域之间；第1导电型的第6碳化硅区域，设于第1电极与第2碳化硅区域之间，并与第1电极接触；以及栅绝缘层，设于栅电极与第3碳化硅区域以及第5碳化硅区域之间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，具备：第1电极；第2电极；栅电极；第1导电型的第1碳化硅区域，至少一部分设于上述第1电极与上述第2电极之间，且至少一部分设于上述栅电极与上述第2电极之间；第1导电型的第2碳化硅区域，设于上述第1电极与上述第1碳化硅区域之间，且上述第1导电型的第2碳化硅区域的第1导电型杂质的杂质浓度高于上述第1碳化硅区域；第2导电型的第3碳化硅区域，设于上述第1电极与上述第2碳化硅区域之间；第1导电型的第4碳化硅区域，设于上述第1电极与上述第3碳化硅区域之间；第1导电型的第5碳化硅区域，设于上述栅电极与上述第2碳化硅区域之间，上述第3碳化硅区域位于上述第1导电型的第5碳化硅区域与上述第4碳化硅区域之间；第1导电型的第6碳化硅区域，设于上述第1电极与上述第2碳化硅区域之间，并与上述第1电极接触；以及栅绝缘层，设于上述栅电极与上述第3碳化硅区域之间、及上述栅电极与上述第5碳化硅区域之间。
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