[发明专利]衬底处理装置、半导体器件的制造方法

摘要

本发明提供一种衬底处理装置、半导体器件的制造方法，其能够提高对衬底的处理品质。该衬底处理装置具有：处理衬底的多个处理室；搬送衬底的搬送室；多个移载室，其设在搬送室与处理室之间，并与各处理室分别对应；多个闸阀，其设在搬送室与移载室之间；多个第一气体供给部，其设在搬送室内，并分别对从多个闸阀通过的位置上的衬底供给非活性气体；搬送机械手，其设在搬送室内，并将衬底向移载室内搬送；和控制部，其控制多个第一气体供给部和搬送机械手，使得当第一气体供给部的供给孔与从闸阀通过的衬底之间的距离为第一距离时，以第一流量供给非活性气体，当上述距离为比第一距离长的第二距离时，以比第一流量多的第二流量供给非活性气体。

主权项

一种衬底处理装置，其特征在于，具有：处理衬底的多个处理室；搬送所述衬底的搬送室；多个移载室，其设在所述搬送室与所述处理室之间，并与各所述处理室分别对应；多个闸阀，其设在所述搬送室与所述移载室之间；多个第一气体供给部，其设在所述搬送室内，并分别对从所述多个闸阀通过的位置上的衬底供给非活性气体；搬送机械手，其设在所述搬送室内，并将所述衬底向所述移载室内搬送；和控制部，其控制所述多个第一气体供给部和所述搬送机械手，使得当所述第一气体供给部的供给孔与从所述闸阀通过的衬底之间的距离为第一距离时，以第一流量供给非活性气体，当所述距离为比第一距离长的第二距离时，以比第一流量多的第二流量供给所述非活性气体。