[发明专利]衬底处理装置、半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种衬底处理装置，其特征在于，具有：

处理衬底的多个处理室；

搬送所述衬底的搬送室；

多个移载室，其设在所述搬送室与所述处理室之间，并与各所述处理室分别对应；

多个闸阀，其设在所述搬送室与所述移载室之间；

多个第一气体供给部，其设在所述搬送室内，并分别对从所述多个闸阀通过的位置上的衬底供给非活性气体；

搬送机械手，其设在所述搬送室内，并将所述衬底向所述移载室内搬送；和

控制部，其控制所述多个第一气体供给部和所述搬送机械手，使得当所述第一气体供给部的供给孔与从所述闸阀通过的衬底之间的距离为第一距离时，以第一流量供给非活性气体，当所述距离为比第一距离长的第二距离时，以比第一流量多的第二流量供给所述非活性气体。

2.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其特征在于，

所述搬送机械手具有能够将至少两张所述衬底保持在沿水平方向不同的高度上的末端执行器，

所述控制部控制所述第一气体供给部，使得向所述末端执行器所保持的衬底分别以不同的流量供给所述非活性气体。

3.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其特征在于，

所述多个处理室以相邻的方式连结，

在所述多个第一气体供给部之间具有第二气体供给部，

所述控制部控制所述第一气体供给部和所述第二气体供给部，使得所述第二气体供给部比从所述第一气体供给部供给的非活性气体的流量更多。

4.根据权利要求2所述的衬底处理装置，其特征在于，

所述多个处理室以相邻的方式连结，

在所述多个第一气体供给部之间具有第二气体供给部，

所述控制部控制所述第一气体供给部和所述第二气体供给部，使得所述第二气体供给部比从所述第一气体供给部供给的非活性气体的流量更多。

5.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其特征在于，在两个所述第一气体供给部之间，具有与该第一气体供给部相比向所述搬送机械手侧突出的第一气体引导件。

6.根据权利要求2所述的衬底处理装置，其特征在于，在两个所述第一气体供给部之间，具有与该第一气体供给部相比向所述搬送机械手侧突出的第一气体引导件。

7.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其特征在于，所述搬送机械手具有以不同高度搬送衬底的两条臂。

8.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其特征在于，所述第一气体供给部的气体供给孔的下端构成于所述闸阀的开口上端的高度。

9.根据权利要求2所述的衬底处理装置，其特征在于，所述第一气体供给部的气体供给孔的下端构成于所述闸阀的开口上端的高度。

10.根据权利要求4所述的衬底处理装置，其特征在于，所述第一气体供给部的气体供给孔的下端构成于所述闸阀的开口上端的高度。

11.根据权利要求6所述的衬底处理装置，其特征在于，所述第一气体供给部的气体供给孔的下端构成于所述闸阀的开口上端的高度。

12.根据权利要求7所述的衬底处理装置，其特征在于，所述第一气体供给部的气体供给孔的下端构成于所述闸阀的开口上端的高度。

13.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其特征在于，在所述搬送室内，与所述第一气体供给部相对且在所述闸阀的开口下端的高度的位置设有气体引导件。

14.根据权利要求2所述的衬底处理装置，其特征在于，在所述搬送室内，与所述第一气体供给部相对且在所述闸阀的开口下端的高度的位置设有气体引导件。