[发明专利]衬底处理装置、半导体器件的制造方法

说明书

本发明提供一种衬底处理装置、半导体器件的制造方法，其能够提高对衬底的处理品质。该衬底处理装置具有：处理衬底的多个处理室；搬送衬底的搬送室；多个移载室，其设在搬送室与处理室之间，并与各处理室分别对应；多个闸阀，其设在搬送室与移载室之间；多个第一气体供给部，其设在搬送室内，并分别对从多个闸阀通过的位置上的衬底供给非活性气体；搬送机械手，其设在搬送室内，并将衬底向移载室内搬送；和控制部，其控制多个第一气体供给部和搬送机械手，使得当第一气体供给部的供给孔与从闸阀通过的衬底之间的距离为第一距离时，以第一流量供给非活性气体，当上述距离为比第一距离长的第二距离时，以比第一流量多的第二流量供给非活性气体。

技术领域

本发明涉及衬底处理装置、半导体器件的制造方法及程序。

背景技术

作为半导体器件(元器件：device)的制造工序之一，进行对衬底供给处理气体和反应气体来在衬底上形成膜的处理工序。例如，在专利文献1、2等中有所记载。

现有技术文献

专利文献1：日本特开2011-181771

专利文献2：日本特开2010-206222

但是，在衬底的搬送中，具有在衬底上附着颗粒而导致对衬底的处理品质降低的情况。

发明内容

本发明的目的在于，提供一种提高对衬底的处理品质的技术。

根据一个方案而提供一种技术，其具有：

处理衬底的多个处理室；搬送衬底的搬送室；多个移载室，其设在搬送室与处理室之间，并与各处理室分别对应；多个闸阀，其设在搬送室与移载室之间；多个第一气体供给部，其设在搬送室内，并分别对从多个闸阀通过的位置上的衬底供给非活性气体；搬送机械手，其设在搬送室内，并将衬底向移载室内搬送；和控制部，其控制多个第一气体供给部和搬送机械手，使得当第一气体供给部的供给孔与从闸阀通过的衬底之间的距离为第一距离时，以第一流量供给非活性气体，当距离为比第一距离长的第二距离时，以比第一流量多的第二流量供给非活性气体。

发明效果

根据本发明的技术，能够提高对衬底的处理品质。

附图说明

图1是一个实施方式的衬底处理系统的横截面的概要图。

图2是一个实施方式的衬底处理系统的纵截面的概要图。

图3是一个实施方式的衬底处理系统的真空搬送室内的工艺模块附近的概要图。

图4是一个实施方式的衬底处理系统的真空搬送室内的工艺模块附近的概要图，且是表示没有晶片的情况的图。

图5是一个实施方式的衬底处理系统的真空搬送室内的工艺模块附近的概要图，且是表示晶片搬入前和搬出后的图。

图6是表示一个实施方式的第一气体供给部与晶片之间的位置关系的图。

图7是用于说明一个实施方式的通向第一气体供给部的气体供给系统的图。

图8是一个实施方式的衬底处理系统的真空搬送机械手的概要图。

图9是表示一个实施方式的真空搬送机械手的末端执行器的高度的关系的图。

图10是一个实施方式的衬底处理装置的概要构成图。

图11是一个实施方式的腔室(chamber)的纵截面的概要图。

图12是用于说明一个实施方式的气体供给系统的图。

图13是一个实施方式的衬底处理系统的控制器的概要构成图。

图14是一个实施方式的衬底处理工序的流程图。