[发明专利]薄膜晶体管的制作方法、薄膜晶体管及显示器有效
| 申请号： | 201710109609.6 | 申请日： | 2017-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN106783628B | 公开（公告）日： | 2019-12-03 |
| 发明（设计）人： | 王威 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L27/12;H01L29/786;H01L27/32 |
| 代理公司： | 44202 广州三环专利商标代理有限公司 | 代理人： | 郝传鑫;熊永强<国际申请>=<国际公布> |
| 地址： | 430070 湖北省武汉市武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公布了一种薄膜晶体管的制作方法，包括：在基板上依次形成主动层、栅极绝缘层、栅极及电容绝缘层，所述栅极绝缘层隔绝所述主动层与所述栅极；在所述电容绝缘层之背离所述基板一侧形成阻氢层，所述阻氢层覆盖所述电容绝缘层；氢化处理所述栅极绝缘层及所述主动层。本发明还公布了一种薄膜晶体管及一种显示器。在提高AMOLED显示器的柔性的同时保证多晶硅薄膜晶体管的氢化处理效果，生产的薄膜晶体管的电子迁移率高，显示设备显示效果良好。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 制作方法 显示器 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：/n在基板上依次形成主动层、栅极绝缘层、栅极及电容绝缘层，所述栅极绝缘层隔绝所述主动层与所述栅极；/n在所述电容绝缘层之背离所述基板一侧形成阻氢层，所述阻氢层覆盖所述电容绝缘层；/n氢化处理所述栅极绝缘层及所述主动层；/n所述阻氢层为导电材料，并且在所述“氢化处理所述栅极绝缘层及所述主动层”之后，所述方法还包括：图形化所述阻氢层形成电容上电极。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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