[发明专利]薄膜晶体管的制作方法、薄膜晶体管及显示器有效
| 申请号： | 201710109609.6 | 申请日： | 2017-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN106783628B | 公开（公告）日： | 2019-12-03 |
| 发明（设计）人： | 王威 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L27/12;H01L29/786;H01L27/32 |
| 代理公司： | 44202 广州三环专利商标代理有限公司 | 代理人： | 郝传鑫;熊永强<国际申请>=<国际公布> |
| 地址： | 430070 湖北省武汉市武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 制作方法 显示器 | ||
1.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：
在基板上依次形成主动层、栅极绝缘层、栅极及电容绝缘层，所述栅极绝缘层隔绝所述主动层与所述栅极；
在所述电容绝缘层之背离所述基板一侧形成阻氢层，所述阻氢层覆盖所述电容绝缘层；
氢化处理所述栅极绝缘层及所述主动层；
所述阻氢层为导电材料，并且在所述“氢化处理所述栅极绝缘层及所述主动层”之后，所述方法还包括：图形化所述阻氢层形成电容上电极。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述氢化处理的温度不大于500℃，所述氢化处理的时长不超过60分钟。
3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，形成所述电容上电极后，在所述电容上电极之背离所述基板一侧表面形成层间绝缘层，并在所述层间绝缘层表面形成源极和漏极。
4.一种薄膜晶体管，包括基板及依次层叠设置于所述基板一侧的主动层、栅极绝缘层、栅极及电容绝缘层，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括电容上电极，所述电容上电极为阻氢层图案化得到；所述阻氢层位于所述电容绝缘层之背离所述基板一侧，并覆盖所述电容绝缘层，所述阻氢层用于阻挡氢化处理时所述电容绝缘层提供的氢离子向外扩散。
5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管还包括层叠设置于所述电容上电极之背离所述基板一侧的层间绝缘层、源极及漏极，所述层间绝缘层隔离所述电容上电极与所述源极及所述漏极于所述层间绝缘层的两侧。
6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述层间绝缘层为有机材料膜层。
7.根据权利要求4所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述阻氢层为无机材料膜层或金属材料膜层。
8.一种显示器，其特征在于，包括权利要求4至7任意一项所述的薄膜晶体管。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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