[发明专利]薄膜晶体管的制作方法、薄膜晶体管及显示器

说明书

本发明公布了一种薄膜晶体管的制作方法，包括：在基板上依次形成主动层、栅极绝缘层、栅极及电容绝缘层，所述栅极绝缘层隔绝所述主动层与所述栅极；在所述电容绝缘层之背离所述基板一侧形成阻氢层，所述阻氢层覆盖所述电容绝缘层；氢化处理所述栅极绝缘层及所述主动层。本发明还公布了一种薄膜晶体管及一种显示器。在提高AMOLED显示器的柔性的同时保证多晶硅薄膜晶体管的氢化处理效果，生产的薄膜晶体管的电子迁移率高，显示设备显示效果良好。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其是涉及一种薄膜晶体管的制作方法、薄膜晶体管及显示器。

背景技术

随着显示技术的发展和用户对显示设备的外观、性能等各方面的要求越来越高，有源矩阵有机发光二极体(Active-matrix organic light emitting diode，AMOLED)柔性显示器应运而生。薄膜晶体管在生产中需要经过氢化处理，以采用低温多晶硅(LowTemperature Poly-silicon，LTPS)薄膜晶体管的阵列结构显示面板为例，多晶硅薄膜晶体管在生产中经过氢化处理，提高了多晶硅薄膜晶体管的电子迁移率，修补了缺陷，使多晶硅薄膜晶体管具有较高的载流子迁移率，从而成为了制作小尺寸高解析度面板的首选。具体的，一般采用多晶硅薄膜晶体管的电容绝缘层和层间绝缘层作补氢层，并采用590℃，10min的高温退火工艺实现阵列基板的氢化处理。在液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)和刚性AMOLED领域中，采用LTPS的阵列结构显示面板及其制造工艺已日趋成熟，但多晶硅薄膜晶体管在柔性AMOLED显示器的制造和应用中仍不成熟。

现有技术中，为了提高柔性效果，一般将电容绝缘层和层间绝缘层设计为厚度较小的无机层，氢化处理需要依靠无机层提供氢原子，较薄的无机层本身可以提供的氢原子量相对较少，高温氢化过程中部分氢原子向外扩散而未起到氢化的作用，参加氢化过程的氢原子量不足导致氢化效果不佳，即无法在提高AMOLED显示器的柔性的同时保证多晶硅薄膜晶体管的氢化处理效果，生产的多晶硅薄膜晶体管的电子迁移率低，显示设备显示效果不佳。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种多晶硅薄膜晶体管的制作方法、多晶硅薄膜晶体管及显示器，用以解决现有技术中无法在提高AMOLED显示器的柔性的同时保证多晶硅薄膜晶体管的氢化处理效果，生产的多晶硅薄膜晶体管的电子迁移率低，显示设备显示效果不佳的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供一种薄膜晶体管，包括：

在基板上依次形成主动层、栅极绝缘层、栅极及电容绝缘层，所述栅极绝缘层隔绝所述主动层与所述栅极；

在所述电容绝缘层之背离所述基板一侧形成阻氢层，所述阻氢层覆盖所述电容绝缘层；

氢化处理所述栅极绝缘层及所述主动层。

进一步，所述氢化处理的温度不大于500℃，所述氢化处理的时长不超过60分钟。

进一步，所述阻氢层为导电材料，并且在所述“氢化处理所述栅极绝缘层及所述主动层”之后，所述方法还包括：图形化所述阻氢层形成电容上电极。

进一步，所述“氢化处理所述栅极绝缘层及所述主动层”之后，所述方法还包括：沉积导电材料于所述阻氢层之背离所述基板一侧，并图形化所述导电材料形成电容上电极。

进一步，形成所述电容上电极后，在所述电容上电极之背离所述基板一侧表面形成层间绝缘层，并在所述层间绝缘层表面形成源极和漏极。

本发明还提供一种薄膜晶体管，包括基板及依次层叠设置于所述基板一侧的主动层、栅极绝缘层、栅极及电容绝缘层，所述薄膜晶体管还包括阻氢层，所述阻氢层位于所述电容绝缘层之背离所述基板一侧，并覆盖所述电容绝缘层，所述阻氢层用于阻挡氢化处理时所述电容绝缘层提供的氢离子向外扩散。