[发明专利]发光二极管显示器及其制作方法在审
申请号: | 201710104787.X | 申请日: | 2017-02-24 |
公开(公告)号: | CN106898706A | 公开(公告)日: | 2017-06-27 |
发明(设计)人: | 韩佰祥;吕伯彦 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 深圳市德力知识产权代理事务所44265 | 代理人: | 林才桂,闻盼盼 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明提供一种发光二极管显示器及其制作方法。本发明的发光二极管显示器的制作方法,通过在平坦层上形成包覆第一过孔且具有反射特性的第一阳极,可以利用第一阳极的反射特性对位于第一过孔内的发光二极管发出的发散光进行聚拢和反射,提高光线利用率,提升显示品质。本发明的发光二极管显示器,通过在平坦层上设置包覆第一过孔且具有反射特性的第一阳极,可以利用第一阳极的反射特性对位于第一过孔内的发光二极管发出的发散光进行聚拢和反射,提高光线利用率,提升显示品质。 | ||
搜索关键词: | 发光二极管 显示器 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
一种发光二极管显示器的制作方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤1、提供TFT背板(80),所述TFT背板(80)包括衬底基板(10)、设于所述衬底基板(10)上的TFT层(20)、设于所述TFT层(20)上的平坦层(30)、及设于所述平坦层(30)上的第一过孔(31);所述TFT层(20)包括对应于所述第一过孔(31)下方设置的漏极(26);步骤2、在所述平坦层(30)上形成第一阳极(40),所述第一阳极(40)包覆所述第一过孔(31)并通过所述第一过孔(31)与所述漏极(26)相接触,所述第一阳极(40)为反射电极;步骤3、提供发光二极管(60),所述发光二极管(60)包括发光灯体(61)以及分别连接于所述发光灯体(61)两端的第二阳极(62)与第二阴极(63);将所述发光二极管(60)转移至所述TFT背板(80)的第一过孔(31)内,并且将所述发光二极管(60)的第二阳极(62)与所述TFT背板(80)的第一阳极(40)连接在一起;步骤4、在所述第一阳极(40)及平坦层(30)上形成位于所述发光二极管(60)周围的阴极隔离层(72),所述阴极隔离层(72)位于所述第一过孔(31)内的部分完全包覆所述第二阳极(62)并至少暴露出所述第二阴极(63)的顶端;步骤5、在所述阴极隔离层(72)及发光二极管(60)上形成第一阴极(73),所述第一阴极(73)与所述第二阴极(63)相接触,所述第一阴极(73)与所述第一阳极(40)之间通过所述阴极隔离层(72)隔离开。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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