[发明专利]高K介质膜层结构及其应用与制造方法有效
| 申请号： | 201710102253.3 | 申请日： | 2017-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN106816434B | 公开（公告）日： | 2018-05-22 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 睿力集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 刘星 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供一种高K介质膜层结构及应用与制造方法，所述高K介质膜层结构包括至少两组高K介质循环结构，每组高K介质循环结构均包括至少两个高K介质循环单元；相邻两组高K介质循环结构之间通过一漏电流阻挡层隔离。本发明的高K介质膜层结构采用高K介质循环结构‑漏电流阻挡层‑高K介质循环结构的复合结构，不仅可以利用多组高K介质循环结构获得更大的电荷储存容量，还可以有效降低漏电流。采用所述高K介质膜层结构的电容器具有更高的电容及更小的漏电流，有利于动态随机存取存储器刷新频率的降低，并提高动态随机存取存储器的数据保存能力。本发明的高K介质膜层结构的制造方法可以提高氧化效率，并且反应腔中的氧化副产物更容易被清除。 | ||
| 搜索关键词： | 介质 结构 及其 应用 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种高K介质膜层结构，其特征在于：所述高K介质膜层结构包括至少两组高K介质循环结构，每组高K介质循环结构均包括至少两个高K介质循环单元；相邻两组高K介质循环结构之间通过一漏电流阻挡层隔离；所述高K介质循环单元包括Zrx O1-x 层及Aly O1-y 层，其中，0<x<1，0<y<1，且所述Zrx O1-x 层的K值为20-30，所述Aly O1-y 层的K值为5-10，所述高K介质循环结构包括10-200个所述高K介质循环单元；所述漏电流阻挡层的材质包括氧化硅，所述漏电流阻挡层的厚度范围是0.1-3nm，并且所述漏电流阻挡层的厚度小于所述高K介质循环单元中单层Zrx O1-x 层及单层Aly O1-y 层的厚度。
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