[发明专利]阵列基板及其制备方法、显示面板及显示装置有效
申请号: | 201710098499.8 | 申请日: | 2017-02-22 |
公开(公告)号: | CN108470717B | 公开(公告)日: | 2021-04-06 |
发明(设计)人: | 刘威 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L27/12 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明实施例提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板及显示装置,涉及显示技术领域,可降低制作阵列基板过程中的不良发生率。该阵列基板的制备方法包括在衬底上,通过一次构图工艺形成金属导电材料的遮光层、栅线;通过一次构图工艺形成缓冲层,缓冲层包括第一过孔和第二过孔;第一过孔露出栅线,第二过孔露出遮光层;通过一次构图工艺形成氧化物有源层和栅绝缘层;通过一次构图工艺形成第一电极层,所述第一电极层包括栅极、源极、漏极、数据线和第一连接电极;第一连接电极与栅极、源极、漏极和数据线均绝缘,且第一连接电极通过第一过孔与栅线电连接;源极和漏极与氧化物有源层直接接触,且源极还通过第二过孔与遮光层电连接。 | ||
搜索关键词: | 阵列 及其 制备 方法 显示 面板 显示装置 | ||
【主权项】:
1.一种阵列基板,其特征在于,包括:衬底,依次设置在所述衬底上的遮光层、缓冲层、氧化物有源层、栅绝缘层、第一电极层;栅线与所述遮光层同层设置;所述氧化物有源层在所述衬底上的正投影被所述遮光层在所述衬底上的正投影覆盖;所述缓冲层包括第一过孔和第二过孔;所述第一过孔露出所述栅线,所述第二过孔露出所述遮光层;所述第一电极层包括栅极、源极、漏极、与所述源极连接的数据线和第一连接电极;所述第一连接电极与所述栅极、所述源极、所述漏极和所述数据线均绝缘,且所述第一连接电极通过所述第一过孔与所述栅线电连接;所述源极和所述漏极与所述氧化物有源层直接接触,且所述源极还通过所述第二过孔与所述遮光层电连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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