[发明专利]异质结双极晶体管有效
| 申请号： | 201710089447.4 | 申请日： | 2017-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN107611175B | 公开（公告）日： | 2021-12-28 |
| 发明（设计）人： | 梅本康成;小屋茂树;吉田茂;大部功 | 申请（专利权）人： | 株式会社村田制作所 |
| 主分类号： | H01L29/737 | 分类号： | H01L29/737;H01L29/08;H01L29/36;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 舒艳君;李洋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种抑制电流放大率的降低以及基极‑发射极间反向耐压的降低，并且实现高效率化的HBT。在异质结双极晶体管中，集电极层、基极层、发射极层以及半导体层依次层叠，发射极层包括在上表面层叠有半导体层的第一区域和与第一区域邻接设置且上表面露出的第二区域，对于发射极层的第一区域以及第二区域中的掺杂浓度而言，上表面附近比与基极层的界面附近高。 | ||
| 搜索关键词： | 异质结 双极晶体管 | ||
【主权项】：
一种异质结双极晶体管，其特征在于，集电极层、基极层、发射极层以及半导体层依次层叠，所述发射极层包括在上表面层叠有所述半导体层的第一区域和与所述第一区域邻接设置且上表面露出的第二区域，对于所述发射极层的所述第一区域以及第二区域中的掺杂浓度而言，所述上表面附近高于与所述基极层的界面附近。
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