[发明专利]半导体器件及其形成方法在审
| 申请号： | 201710074023.0 | 申请日： | 2017-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN108417632A | 公开（公告）日： | 2018-08-17 |
| 发明（设计）人： | 赵猛 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体器件及其形成方法，其中方法包括：提供初始半导体衬底；在所述初始半导体衬底中形成凹槽；在所述凹槽中形成隔离层，所述隔离层的顶部表面低于所述初始半导体衬底的顶部表面；在所述凹槽中形成位于隔离层上的初始鳍部层；图形化所述初始鳍部层和初始半导体衬底，形成半导体衬底和位于半导体衬底上的鳍部结构，所述隔离层位于半导体衬底中，所述鳍部结构包括由初始鳍部层形成的第一鳍部以及由初始半导体衬底形成的第二鳍部，第二鳍部位于第一鳍部两侧且与第一鳍部邻接，且第一鳍部位于隔离层上。所述方法使得半导体器件的电学性能得到提高。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 半导体 鳍部 隔离层 半导体器件 顶部表面 鳍部结构 电学性能 图形化 邻接 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供初始半导体衬底；在所述初始半导体衬底中形成凹槽；在所述凹槽中形成隔离层，所述隔离层的顶部表面低于所述初始半导体衬底的顶部表面；在所述凹槽中形成位于隔离层上的初始鳍部层；图形化所述初始鳍部层和初始半导体衬底，形成半导体衬底和位于半导体衬底上的鳍部结构，所述隔离层位于半导体衬底中，所述鳍部结构包括由初始鳍部层形成的第一鳍部以及由初始半导体衬底形成的第二鳍部，第二鳍部位于第一鳍部两侧且与第一鳍部邻接，且第一鳍部位于隔离层上。
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