[发明专利]一种阵列基板、显示装置以及阵列基板的制备方法有效
申请号: | 201710071850.4 | 申请日: | 2017-02-09 |
公开(公告)号: | CN106847826B | 公开(公告)日: | 2021-01-15 |
发明(设计)人: | 臧鹏程;黄炜赟;王杨 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L23/60;H01L21/77 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明实施例提供一种阵列基板、显示装置以及阵列基板的制备方法,涉及显示技术领域,能够解决阵列基板的工艺制程中,在形成最后一层导电层之前,已经形成的金属层上的静电累积难以导出的问题。包括设置在衬底基板上的第一金属层、第二金属层、以及位于第一金属层和第二金属层之间的绝缘层,第一金属层包括第一信号线引线,还包括位于绝缘层和第二金属层之间的半导体层,半导体层包括半导体图案。第二金属层包括第一除静电辅助图案,第一除静电辅助图案与半导体图案电连接。在第一信号线引线的侧边有第一尖端突出部,至少一个第一尖端突出部的尖端在半导体层的正投影位于半导体图案的边界内,构成金属绝缘层半导体MIS结构。 | ||
搜索关键词: | 一种 阵列 显示装置 以及 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种阵列基板,包括设置在衬底基板上的第一金属层、第二金属层、以及位于所述第一金属层和所述第二金属层之间的绝缘层,所述第一金属层包括设置于非显示区域的第一信号线引线,其特征在于,还包括:位于所述绝缘层和所述第二金属层之间的半导体层,所述半导体层包括位于所述非显示区域的半导体图案;所述第二金属层包括设置于非显示区域的第一除静电辅助图案,所述第一除静电辅助图案与所述半导体图案电连接;在所述第一信号线引线的侧边突出设置有第一尖端突出部,至少一个所述第一尖端突出部的尖端在所述半导体层的正投影位于所述半导体图案的边界范围内,构成金属绝缘层半导体MIS结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710071850.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种便于安装的四分之一波片
- 下一篇:光学镜片承载结构
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的