[发明专利]一种半导体器件的制造方法在审
| 申请号： | 201710064330.0 | 申请日： | 2017-02-04 |
| 公开（公告）号： | CN108400160A | 公开（公告）日： | 2018-08-14 |
| 发明（设计）人： | 邓银屏;周真;徐俊 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件的制造方法。所述方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成介质层及位于所述介质层中的沟槽；在所述介质层上和所述沟槽中形成功函数层；对所述功函数层进行改性处理；在所述沟槽中填充金属，并进行化学机械研磨以露出所述介质层。根据本发明的半导体器件的制造方法，对形成有功函数层的半导体衬底进行氧处理，从而在功函数层中引入氧，以对功函数层改性处理，使得后续在功函数层上生长形成的金属材料层的晶粒尺寸相对于未进行氧处理而生长形成的金属材料层的晶粒尺寸小，可改善化学机械研磨过程中的研磨均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 功函数层 介质层 半导体器件 衬底 半导体 金属材料层 晶粒 改性处理 氧处理 化学机械研磨过程 制造 化学机械研磨 研磨均匀性 填充金属 生长 有功 引入 成功 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成介质层及位于所述介质层中的沟槽；在所述介质层上和所述沟槽中形成功函数层；对所述功函数层进行改性处理；在所述沟槽中填充金属，并进行化学机械研磨以露出所述介质层。
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