[发明专利]一种半导体器件的制造方法在审
| 申请号： | 201710064330.0 | 申请日： | 2017-02-04 |
| 公开（公告）号： | CN108400160A | 公开（公告）日： | 2018-08-14 |
| 发明（设计）人： | 邓银屏;周真;徐俊 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 功函数层 介质层 半导体器件 衬底 半导体 金属材料层 晶粒 改性处理 氧处理 化学机械研磨过程 制造 化学机械研磨 研磨均匀性 填充金属 生长 有功 引入 成功 | ||
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：
提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成介质层及位于所述介质层中的沟槽；
在所述介质层上和所述沟槽中形成功函数层；
对所述功函数层进行改性处理；
在所述沟槽中填充金属，并进行化学机械研磨以露出所述介质层。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述改性处理包括氧处理。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述氧处理包括氧离子注入。
4.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述氧处理采用将所述半导体衬底暴露在空气中的方法。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述介质层中形成沟槽的步骤包括：在形成所述介质层之前形成包括伪栅极材料层的伪栅极结构；形成覆盖所述伪栅极结构侧壁的所述介质层；以及，去除所述伪栅极结构中的伪栅极材料层，以形成所述沟槽。
6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述伪栅极结构还包括位于所述伪栅极材料层下方的高k介电层，和/或形成于所述半导体衬底和所述高k介电层之间的界面层，和/或形成于所述高k介电层与所述伪栅极材料层之间的覆盖层。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述沟槽中形成所述功函数层之前还包括在所述沟槽中形成高k介电层以覆盖所述沟槽侧壁和底部的步骤。
8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，在形成所述高k介电层之前还包括在所述沟槽底部形成界面层，和/或在形成所述高k介电层之后在所述高k介电层上形成覆盖层的步骤。
9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在形成所述功函数层之后、在形成所述金属之前，还包括在所述沟槽内形成阻挡层。
10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，在形成所述阻挡层之后、在形成所述金属之前，还包括在所述沟槽内形成浸润层。
11.如权利要求1至10任一项所述的方法，其特征在于，所述功函数层为NMOS功函数层。
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