[发明专利]芯片拾取方法以及封装工艺有效
申请号: | 201710063591.0 | 申请日: | 2017-02-03 |
公开(公告)号: | CN108389834B | 公开(公告)日: | 2020-09-29 |
发明(设计)人: | 陆建刚;陈福成 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
主分类号: | H01L21/78 | 分类号: | H01L21/78;H01L21/683 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅;李时云 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明揭示了一种芯片拾取方法以及封装工艺,其中,将所述第一芯片从所述晶圆取走后,所述晶圆上所述第一芯片所在的位置出现缝隙,在所述缝隙中填充支撑物,对所述第一表面进行第二减薄,至暴露出所述第二芯片,将所述第二芯片从所述晶圆取走。由于,所述支撑物可以将所述晶圆上剩余的芯片结合呈一个整体,并不会使所述第二芯片移位,可以保证所述第二芯片的完整性,并可以保证减薄到可靠的位置,减薄的均匀性好,有利于将在同一多项目晶圆上不同厚度的芯片分别拾取出来,有利于实现将不同厚度的芯片设计在同一多项目晶圆上,提高了设计效率,降低了开发成本,为设计人员提供了实践机会,并促进了集成电路设计成果转化。 | ||
搜索关键词: | 芯片 拾取 方法 以及 封装 工艺 | ||
【主权项】:
1.一种芯片拾取方法,其特征在于,包括:提供一晶圆,所述晶圆具有第一表面以及与所述第一表面相背设置的第二表面,所述晶圆包括至少一第一芯片和至少一第二芯片,所述第一芯片距所述第一表面的距离小于所述第二芯片距所述第一表面的距离;对所述第一表面进行第一减薄,至暴露出所述第一芯片;进行第一切割工艺,分开所述第一芯片;将所述第一芯片从所述晶圆取走,所述晶圆上所述第一芯片所在的位置出现缝隙;在所述缝隙中填充支撑物;对所述第一表面进行第二减薄,至暴露出所述第二芯片;以及进行第二切割工艺,分开所述第二芯片;将所述第二芯片从所述晶圆取走。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司,未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710063591.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:显示基板及其制造方法和显示装置
- 下一篇:半导体结构及其形成方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造