[发明专利]芯片拾取方法以及封装工艺

说明书

本发明揭示了一种芯片拾取方法以及封装工艺，其中，将所述第一芯片从所述晶圆取走后，所述晶圆上所述第一芯片所在的位置出现缝隙，在所述缝隙中填充支撑物，对所述第一表面进行第二减薄，至暴露出所述第二芯片，将所述第二芯片从所述晶圆取走。由于，所述支撑物可以将所述晶圆上剩余的芯片结合呈一个整体，并不会使所述第二芯片移位，可以保证所述第二芯片的完整性，并可以保证减薄到可靠的位置，减薄的均匀性好，有利于将在同一多项目晶圆上不同厚度的芯片分别拾取出来，有利于实现将不同厚度的芯片设计在同一多项目晶圆上，提高了设计效率，降低了开发成本，为设计人员提供了实践机会，并促进了集成电路设计成果转化。

技术领域

本发明涉及半导体封装技术领域，特别是涉及一种芯片拾取方法以及封装工艺。

背景技术

随着制造工艺水平的提高，在生产线上制造芯片的费用不断上涨。如果设计中存在问题，那么制造出来的所有芯片将全部报废。为了降低成本，我们采用了多项目晶圆。

多项目晶圆(Multi Project Wafer，简称MPW)就是将多个使用相同工艺的集成电路设计放在同一晶圆上流片，制造完成后，每个设计可以得到多片芯片样品，这一数量对于原型(Prototype)设计阶段的实验、测试已经足够。

在现有技术中，设计在同一多项目晶圆上的不同芯片需要具有统一的厚度，因此，设计阶段仍需考虑同一多项目晶圆厚度，增加了开发成本及设计难度。

发明内容

本发明的目的在于，提供一种芯片拾取方法以及封装工艺，可以将在同一多项目晶圆上不同厚度的芯片分别拾取出来，有利于实现将不同厚度的芯片设计在同一多项目晶圆上。

为解决上述技术问题，本发明提供一种芯片拾取方法，包括：

提供一晶圆，所述晶圆具有第一表面以及与所述第一表面相背设置的第二表面，所述晶圆包括第一芯片和第二芯片，所述第一芯片距所述第一表面的距离小于所述第二芯片距所述第一表面的距离；

对所述第一表面进行第一减薄，至暴露出所述第一芯片；

进行第一切割工艺，分开所述第一芯片；

将所述第一芯片从所述晶圆取走，所述晶圆上所述第一芯片所在的位置出现缝隙；

在所述缝隙中填充支撑物；

对所述第一表面进行第二减薄，至暴露出所述第二芯片；以及

进行第二切割工艺，分开所述第二芯片；

将所述第二芯片从所述晶圆取走。

可选的，在所述芯片拾取方法中，所述支撑物为粘性胶，待所述粘性胶固化后，再对所述第一表面进行第二减薄。

可选的，在所述芯片拾取方法中，在所述缝隙中填充粘性胶的步骤中，还在所述晶圆的第一表面覆盖所述粘性胶。

可选的，在所述芯片拾取方法中，采用压塑成型的方法填充所述粘性胶。

可选的，在所述芯片拾取方法中，所述第一表面上覆盖的所述粘性胶的厚度大于等于25μm。

可选的，在所述芯片拾取方法中，在对所述第一表面进行第二减薄之前，还包括：

去除所述第一表面覆盖的所述粘性胶。

可选的，在所述芯片拾取方法中，采用研磨工艺或湿法刻蚀工艺进行所述第一减薄。

可选的，在所述芯片拾取方法中，采用研磨工艺进行所述第一减薄，所述第一芯片距所述第一表面的距离与所述第二芯片距所述第一表面的距离之差大于等于30μm。

可选的，在所述芯片拾取方法中，采用隐形切割或干法刻蚀进行所述第一切割工艺或第二切割工艺。