[发明专利]集成电路器件有效
| 申请号： | 201710063574.7 | 申请日： | 2017-02-03 |
| 公开（公告）号： | CN107068680B | 公开（公告）日： | 2020-10-23 |
| 发明（设计）人： | 卓容奭;李泰宗;金泫升;具本荣;朴起演;朴起宽;朴美善 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/092 | 分类号： | H01L27/092;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及集成电路器件。一种集成电路器件包括：在衬底的有源区上的栅线；在栅线两侧于有源区中的一对源/漏区域；在所述对源/漏区域当中的至少一个源/漏区域上的接触插塞；以及在栅线和接触插塞之间的多层结构绝缘间隔物。多层结构绝缘间隔物可以包括：氧化物层；第一含碳绝缘层，其覆盖氧化物层的邻近于栅线的第一表面；以及第二含碳绝缘层，其覆盖氧化物层的邻近于接触插塞的第二表面，第二表面与氧化物层的第一表面相反。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 器件 | ||
【主权项】：
一种集成电路器件，包括：在衬底的有源区上的栅线；在所述栅线的两侧于所述有源区中的一对源/漏区域；在所述对源/漏区域当中的至少一个源/漏区域上的接触插塞；以及在所述栅线和所述接触插塞之间的多层结构绝缘间隔物，其中所述多层结构绝缘间隔物包括：氧化物层；第一含碳绝缘层，其覆盖所述氧化物层的邻近于所述栅线的第一表面；以及第二含碳绝缘层，其覆盖所述氧化物层的邻近于所述接触插塞的第二表面，所述第二表面与所述氧化物层的所述第一表面相反，以及其中所述第一含碳绝缘层和所述第二含碳绝缘层具有不同的碳含量。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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