[发明专利]具有外围上单元结构的存储器件和包括其的存储器封装有效
申请号: | 201710060999.2 | 申请日: | 2017-01-25 |
公开(公告)号: | CN108346664B | 公开(公告)日: | 2023-08-22 |
发明(设计)人: | 金昶汎;金成勋 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H10B41/41 | 分类号: | H10B41/41;H10B43/40 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 王新华 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本公开提供具有外围上单元结构的存储器件和包括其的存储器封装。一种存储器件包括衬底和设置在衬底的第一表面上的外围电路。外围电路包括第一晶体管。存储器件还包括设置在外围电路上的第一布线层、设置在第一布线层上的基底层、设置在基底层上的存储单元阵列、以及设置在存储单元阵列上的第二布线层。第二布线层包括配置为供应第一电压的第一电源布线、配置为供应第二电压的第二电源布线、以及电连接到第一晶体管的第一布线。第一布线配置为可电连接到第一电源布线或第二电源布线。 | ||
搜索关键词: | 具有 外围 单元 结构 存储 器件 包括 存储器 封装 | ||
【主权项】:
1.一种存储器件,包括:衬底;外围电路,设置在所述衬底的第一表面上,其中所述外围电路包括第一晶体管;第一布线层,设置在所述外围电路上;基底层,设置在所述第一布线层上;存储单元阵列,设置在所述基底层上;以及第二布线层,设置在所述存储单元阵列上,其中所述第二布线层包括:第一电源布线,配置为供应第一电压;第二电源布线,配置为供应第二电压;以及第一布线,电连接到所述第一晶体管,其中所述第一布线配置为可电连接到所述第一电源布线或所述第二电源布线。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社,未经三星电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710060999.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种半导体器件及其制作方法、电子装置
- 下一篇:半导体元件及其制作方法