[发明专利]具有外围上单元结构的存储器件和包括其的存储器封装

权利要求书

1.一种存储器件，包括：

衬底；

外围电路，设置在所述衬底的第一表面上，其中所述外围电路包括第一晶体管；

第一布线层，设置在所述外围电路上；

基底层，设置在所述第一布线层上；

存储单元阵列，设置在所述基底层上；以及

第二布线层，设置在所述存储单元阵列上，其中所述第二布线层包括：

第一电源布线，配置为供应第一电压；

第二电源布线，配置为供应第二电压；

第一布线，电连接到所述第一晶体管，其中所述第一布线配置为可电连接到所述第一电源布线或所述第二电源布线；以及

第一连接布线，将所述第一布线电连接到所述第一电源布线或所述第二电源布线，

其中所述第一电源布线和所述第二电源布线的每个在第一方向上延伸，并且所述第一电源布线和所述第二电源布线彼此间隔开，

其中所述第一布线设置在所述第一电源布线和所述第二电源布线之间，在所述第一布线通过所述第一连接布线电连接到所述第一电源布线的情况下，所述第一电压通过所述第一布线供应到所述第一晶体管，以及

在所述第一布线通过所述第一连接布线电连接到所述第二电源布线的情况下，所述第二电压通过所述第一布线供应到所述第一晶体管。

2.如权利要求1所述的存储器件，其中所述第一电源布线和所述第二电源布线、所述第一布线和第一连接布线设置在相同的平面上。

3.如权利要求1所述的存储器件，其中所述第一布线电连接到所述第一晶体管的栅电极。

4.如权利要求3所述的存储器件，还包括：

第一接触和第二接触，穿过包括在所述第一布线层中的绝缘层的一部分设置。

5.如权利要求4所述的存储器件，其中所述第一接触将所述第一晶体管的所述栅电极与包括在所述第一布线层中的第二布线电连接，

其中所述第二接触将所述第一布线与所述第二布线电连接。

6.如权利要求1所述的存储器件，其中所述外围电路还包括第二晶体管，

其中所述第二布线层还包括电连接到所述第二晶体管的第二布线，其中所述第二布线配置为可电连接到所述第一电源布线或所述第二电源布线。

7.如权利要求1所述的存储器件，其中所述外围电路还包括第二晶体管，

其中所述第二布线层还包括：

第三电源布线，配置为供应所述第一电压；

第二布线，电连接到所述第二晶体管，所述第二布线配置为可电连接到所述第二电源布线或所述第三电源布线；以及

第二连接布线，将所述第二布线电连接到所述第二电源布线或所述第三电源布线。

8.如权利要求7所述的存储器件，其中所述第一电源布线、所述第二电源布线和所述第三电源布线的每个在第一方向上延伸，并且所述第一电源布线、所述第二电源布线和所述第三电源布线彼此间隔开，

所述第二布线布置在所述第二电源布线和所述第三电源布线之间。

9.如权利要求1所述的存储器件，其中所述第一电压是电源电压，所述第二电压是接地电压。

10.如权利要求1所述的存储器件，其中所述基底层包括多晶硅或单晶硅。

11.如权利要求10所述的存储器件，其中所述基底层被划分成多个基底层图案，并且所述多个基底层图案的每个用作p型阱。

12.如权利要求1所述的存储器件，其中所述存储单元阵列包括多个垂直NAND闪存单元。

13.如权利要求1所述的存储器件，其中所述存储单元阵列包括：

多个沟道，在垂直于所述第一表面的第一方向上延伸；和

多条栅线，围绕所述沟道的外侧壁，所述多条栅线堆叠在所述第一方向上并彼此间隔开。