[发明专利]具有外围上单元结构的存储器件和包括其的存储器封装

说明书

本公开提供具有外围上单元结构的存储器件和包括其的存储器封装。一种存储器件包括衬底和设置在衬底的第一表面上的外围电路。外围电路包括第一晶体管。存储器件还包括设置在外围电路上的第一布线层、设置在第一布线层上的基底层、设置在基底层上的存储单元阵列、以及设置在存储单元阵列上的第二布线层。第二布线层包括配置为供应第一电压的第一电源布线、配置为供应第二电压的第二电源布线、以及电连接到第一晶体管的第一布线。第一布线配置为可电连接到第一电源布线或第二电源布线。

技术领域

本发明构思的示例实施方式总体上涉及存储器件，更具体地，涉及具有外围上单元(cell over periphery，COP)结构的存储器件以及包括该存储器件的存储器封装。

背景技术

垂直存储器件(通常所说的三维(3D)存储器件)是包括重复堆叠在衬底的表面上的多个存储单元的存储器件。这些存储器件能够在非常小的结构内具有非常高的存储容量。例如，在垂直存储器件中，沟道可以从衬底的表面突出或者可以从衬底的表面垂直地延伸，并且围绕垂直沟道的栅线和绝缘层可以被重复地堆叠。

然而，垂直存储器件的尺寸的减小受限制，因为存储器件必须仍然包括接口以将存储器件电连接到外围电路用于与外部设备通信并由外部设备驱动。

发明内容

根据本发明构思的示范性实施方式，一种存储器件包括衬底和设置在衬底的第一表面上的外围电路。外围电路包括第一晶体管。存储器件还包括设置在外围电路上的第一布线层、设置在第一布线层上的基底层、设置在基底层上的存储单元阵列、以及设置在存储单元阵列上的第二布线层。第二布线层包括配置为供应第一电压的第一电源布线、配置为供应第二电压的第二电源布线、以及电连接到第一晶体管的第一布线。第一布线配置为可电连接到第一电源布线或第二电源布线。

根据本发明构思的示范性实施方式，一种存储器封装包括基底基板和堆叠在基底基板上的多个存储芯片。所述多个存储芯片的每个包括衬底和设置在衬底的第一表面上的外围电路。外围电路包括第一晶体管。每个存储芯片还包括设置在外围电路上的第一布线层、设置在第一布线层上的基底层、设置在基底层上的存储单元阵列、以及设置在存储单元阵列上的第二布线层。第二布线层包括配置为供应第一电压的第一电源布线、配置为供应第二电压的第二电源布线、以及电连接到第一晶体管的第一布线。第一布线配置为可电连接到第一电源布线或第二电源布线。

根据本发明构思的示范性实施方式，一种存储器件包括衬底和设置在衬底的第一表面上的外围电路。外围电路包括第一晶体管和第二晶体管、设置在外围电路上的下布线层、设置在下布线层上的基底层、以及设置在基底层上的存储单元阵列。存储单元阵列包括多个沟道。存储器件还包括设置在存储单元阵列上的上布线层。上布线层包括至少两个电源布线。所述至少两个电源布线中的第一电源布线配置为供应第一电压，所述至少两个电源布线中的第二电源布线配置为供应第二电压。上布线层还包括电连接到第一晶体管的第一布线。第一布线配置为可电连接到第一电源布线或第二电源布线。上布线层还包括电连接到第二晶体管的第二布线。第二布线配置为可电连接到第一电源布线或第二电源布线。

附图说明

通过参照附图详细描述本发明构思的示范性实施方式，本发明构思的以上和其它的特征将变得更加明显，附图中：

图1是根据本发明构思的示范性实施方式的存储器件的透视图；

图2是根据本发明构思的示范性实施方式的存储器件的俯视图；

图3是根据本发明构思的示范性实施方式的沿图2的线I-I'截取的剖面图；

图4是示出根据本发明构思的示范性实施方式的可设置在图3中的存储单元区域中的存储单元阵列的示例的电路图；

图5、图6、图7、图8和图9是用于描述根据本发明构思的示范性实施方式的制造存储器件的工艺的剖面图；

图10是根据本发明构思的示范性实施方式的存储器件的俯视图；