[发明专利]一种宽禁带半导体器件及其制作方法在审
| 申请号： | 201710060381.6 | 申请日： | 2017-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN106783964A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 张振中;孙军;和巍巍;汪之涵;颜剑 | 申请（专利权）人： | 深圳基本半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/336;H01L29/872 |
| 代理公司： | 深圳新创友知识产权代理有限公司44223 | 代理人： | 江耀纯 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提出一种宽禁带半导体器件及其制作方法，所述宽禁带半导体器件包括肖特基部分，用于在正常电压状态下导通电流；PN结部分，用于在发生电流浪涌时与肖特基部分共同导通电流，所述PN结部分包括至少一个增加有效面积的结构，所述增加有效面积的结构用于在PN结表面面积不变的情况下，增大PN结的实际有效面积，从而使器件具有更高的浪涌电流能力。本发明的宽禁带半导体器件的制作方法，通过沟槽刻蚀，和对沟槽的底部、侧壁进行小角度倾斜离子注入掺杂，形成齿状P型掺杂区，在保持肖特基和PN结表面面积不变的情况下，增大了PN结的实际有效面积，使得由此方法制得的宽禁带半导体器件具有更高的浪涌电流能力。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 宽禁带 半导体器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种宽禁带半导体器件，包括肖特基部分，用于在正常电压状态下导通电流；PN结部分，用于在发生电流浪涌时与肖特基部分共同导通电流，其特征在于，所述PN结部分包括至少一个增加有效面积的结构，所述增加有效面积的结构用于在PN结表面面积不变的情况下，增大PN结的实际有效面积，从而使器件具有较大的PN结部分。
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