[发明专利]薄膜型发光二极管及其制作方法有效

专利信息
申请号: 201710057326.1 申请日: 2017-01-26
公开(公告)号: CN106876547B 公开(公告)日: 2019-05-03
发明(设计)人: 钟志白;郑锦坚;杨力勋;李佳恩;徐宸科;康俊勇 申请(专利权)人: 厦门市三安光电科技有限公司
主分类号: H01L33/20 分类号: H01L33/20;H01L33/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 361009 福建省厦*** 国省代码: 福建;35
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摘要: 发明公开了一种薄膜型发光二极管及其制作方法,其采用图形化衬底进行外延生长,然后进行芯片制程中在衬底剥离过程中,使衬底图形的尖端从其衬底主体上断裂并保留在外延层上,从而在发光外延叠层的出光面上形成蓝宝石微透镜。所述薄膜型发光二极管包括发光外延叠层,所述发光外延叠层包含第一类型导体层、发光层和第二类型半导体层,其表面设有一系列由透明生长衬底构成的微透镜。
搜索关键词: 薄膜 发光二极管 及其 制作方法
【主权项】:
1.薄膜型发光二极管,包括发光外延叠层,所述发光外延叠层包含第一类型半导体层、发光层和第二类型半导体层,具有相对的上表面和下面,所述发光层在电激发下辐射光线并向所述上表面射出,其特征在于:所述发光外延叠层的上表面设有一系列由透明生长衬底构成的微透镜,所述微透镜具有两个相对的端部,其中第一个端部嵌入所述发光外延叠层的第一类型半导体层内,第二个端部高出所述发光外延叠层的上表面。
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