[发明专利]低温多晶硅基板及其制造方法及AMOLED显示器

摘要

本发明涉及一种低温多晶硅基板及其制造方法及AMOLED显示器。所述低温多晶硅基板的制造方法包括：形成第一金属层；在第一金属层上形成电介质层；在电介质层上形成第二金属层，并对第二金属层进行刻蚀；在第二金属层上形成第三金属层；第一金属层作为电容器的下极板、第二金属层作为电容器的上极板，第一金属层同时作为栅极，在第一金属层上形成电介质层的步骤包括形成电介质主体层和电介质主体层下的刻蚀阻挡层，刻蚀步骤为两步刻蚀，刻蚀阻挡层作为第二步刻蚀的阻挡层。本发明在电介质层原有结构的基础上增加一层氧化硅层作为第二金属层刻蚀时第二步刻蚀的阻挡层，在第二金属层过刻时能够更好地防止第一金属层被刻蚀，降低亮点和暗点的发生率。

主权项

1.一种低温多晶硅基板的制造方法，包括：/n形成第一金属层；/n在第一金属层上形成电介质层；/n在所述电介质层上形成第二金属层，并对所述第二金属层进行刻蚀；/n在所述第二金属层上形成第三金属层；/n其特征在于，所述第一金属层、电介质层及第二金属层形成电容器，所述第一金属层作为所述电容器的下极板、所述第二金属层作为所述电容器的上极板，所述第一金属层同时作为栅极，所述在第一金属层上形成电介质层的步骤包括形成两层结构，具体包括形成电介质主体层和电介质主体层下的刻蚀阻挡层，所述刻蚀步骤为两步刻蚀，所述刻蚀阻挡层作为第二步刻蚀的阻挡层；所述两步刻蚀中的第一步刻蚀的刻蚀气体为六氟化硫和氧气的混合气体，第二步刻蚀的刻蚀气体为氯气和氧气的混合气体，所述刻蚀阻挡层的材质为氧化硅，所述电介质主体层的材质为氮化硅；所述两步刻蚀步骤中氧化硅的选择比都比氮化硅要高。/n