[发明专利]低温多晶硅基板及其制造方法及AMOLED显示器

说明书

本发明涉及一种低温多晶硅基板及其制造方法及AMOLED显示器。所述低温多晶硅基板的制造方法包括：形成第一金属层；在第一金属层上形成电介质层；在电介质层上形成第二金属层，并对第二金属层进行刻蚀；在第二金属层上形成第三金属层；第一金属层作为电容器的下极板、第二金属层作为电容器的上极板，第一金属层同时作为栅极，在第一金属层上形成电介质层的步骤包括形成电介质主体层和电介质主体层下的刻蚀阻挡层，刻蚀步骤为两步刻蚀，刻蚀阻挡层作为第二步刻蚀的阻挡层。本发明在电介质层原有结构的基础上增加一层氧化硅层作为第二金属层刻蚀时第二步刻蚀的阻挡层，在第二金属层过刻时能够更好地防止第一金属层被刻蚀，降低亮点和暗点的发生率。

技术领域

本发明涉及半导体器件，特别是涉及一种低温多晶硅基板及其制造方法，还涉及一种AMOLED显示器。

背景技术

在三层金属连线层结构的有源矩阵有机发光二极体显示器(3Metal AMOLED)中，电容结构是由金属钼作为上下电极板(分别称为M1和M2)，氮化硅(SiN_x)作为电容的电介质(CI)，下极板(M1)同时也作为驱动TFT(薄膜晶体管)的栅极。

在进行M2图形制作时，易对M2下层的CI(SiN_x)造成过刻，结果导致CI下的M1被刻蚀，在栅极搭接开孔处易造成不同层间短路(作为数据线Vdata和电源线Vdd等的电位的走线的金属层M3会与栅极M1、多晶硅导电沟道短路)。根据短路位置不同会产生亮点和暗点，其中若短路点位于多晶硅导电沟道的一端，驱动TFT的栅极和漏极短路，驱动TFT始终为导通的二极管，OLED表现为亮点；若短路点在多晶硅导电沟道内部，驱动TFT会被分成两个方向相反的二极管，OLED无法点亮，表现为暗点。

发明内容

基于此，有必要提供一种防止上述亮点和暗点问题的低温多晶硅基板的制造方法。

一种低温多晶硅基板的制造方法，包括：形成第一金属层；在第一金属层上形成电介质层；在所述电介质层上形成第二金属层，并对所述第二金属层进行刻蚀；在所述第二金属层上形成第三金属层；所述第一金属层、电介质层及第二金属层形成电容器，所述第一金属层作为所述电容器的下极板、所述第二金属层作为所述电容器的上极板，所述第一金属层同时作为栅极，所述在第一金属层上形成电介质层的步骤包括形成两层结构，具体包括形成电介质主体层和电介质主体层下的刻蚀阻挡层，所述刻蚀步骤为两步刻蚀，所述刻蚀阻挡层作为第二步刻蚀的阻挡层。

在其中一个实施例中，所述两步刻蚀中的第一步刻蚀的刻蚀气体为六氟化硫和氧气的混合气体，第二步刻蚀的刻蚀气体为氯气和氧气的混合气体，所述刻蚀阻挡层的材质为氧化硅，所述电介质主体层的材质为氮化硅。

在其中一个实施例中，所述对所述第二金属层进行刻蚀的步骤之后、所述在所述第二金属层上形成第三金属层的步骤之前，还包括形成层间介质层的步骤，所述第三金属层是形成于所述层间介质层上。

在其中一个实施例中，所述形成第一金属层的步骤之前，还包括：提供基板；在基板上形成缓冲层；在所述缓冲层上形成多晶硅层；在所述多晶硅层上形成绝缘层；所述第一金属层形成于所述绝缘层上。

在其中一个实施例中，所述绝缘层为氧化硅层。

在其中一个实施例中，所述第一金属层和第二金属层的材质为钼。

在其中一个实施例中，所述形成下层的刻蚀阻挡层的步骤中形成的氧化硅层厚度为10纳米～30纳米。

还有必要提供一种低温多晶硅基板。

一种低温多晶硅基板，包括：第一金属层，作为栅极和电容器的下极板；电介质层，设于所述第一金属层上，作为所述电容器的介质，包括两层结构，具体是电介质主体层和电介质主体层下的刻蚀阻挡层，所述电介质主体层是氮化硅层，所述刻蚀阻挡层是氧化硅层；第二金属层，设于所述电介质层上，作为所述电容器的上极板。