[发明专利]低温多晶硅基板及其制造方法及AMOLED显示器

权利要求书

1.一种低温多晶硅基板的制造方法，包括：

形成第一金属层；

在第一金属层上形成电介质层；

在所述电介质层上形成第二金属层，并对所述第二金属层进行刻蚀；

在所述第二金属层上形成第三金属层；

其特征在于，所述第一金属层、电介质层及第二金属层形成电容器，所述第一金属层作为所述电容器的下极板、所述第二金属层作为所述电容器的上极板，所述第一金属层同时作为栅极，所述在第一金属层上形成电介质层的步骤包括形成两层结构，具体包括形成电介质主体层和电介质主体层下的刻蚀阻挡层，所述刻蚀步骤为两步刻蚀，所述刻蚀阻挡层作为第二步刻蚀的阻挡层；所述两步刻蚀中的第一步刻蚀的刻蚀气体为六氟化硫和氧气的混合气体，第二步刻蚀的刻蚀气体为氯气和氧气的混合气体，所述刻蚀阻挡层的材质为氧化硅，所述电介质主体层的材质为氮化硅；所述两步刻蚀步骤中氧化硅的选择比都比氮化硅要高。

2.根据权利要求1所述的低温多晶硅基板的制造方法，其特征在于，所述对所述第二金属层进行刻蚀的步骤之后、所述在所述第二金属层上形成第三金属层的步骤之前，还包括形成层间介质层的步骤，所述第三金属层是形成于所述层间介质层上。

3.根据权利要求1所述的低温多晶硅基板的制造方法，其特征在于，所述形成第一金属层的步骤之前，还包括：

提供基板；

在基板上形成缓冲层；

在所述缓冲层上形成多晶硅层；

在所述多晶硅层上形成绝缘层；所述第一金属层形成于所述绝缘层上。

4.根据权利要求3所述的低温多晶硅基板的制造方法，其特征在于，所述绝缘层为氧化硅层。

5.根据权利要求1所述的低温多晶硅基板的制造方法，其特征在于，所述第一金属层和第二金属层的材质为钼。

6.根据权利要求1所述的低温多晶硅基板的制造方法，其特征在于，所述形成下层的刻蚀阻挡层的步骤中形成的氧化硅层厚度为10纳米～30纳米。