[发明专利]封装体装置及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201710046117.7 申请日: 2017-01-22
公开(公告)号: CN108346586B 公开(公告)日: 2020-06-09
发明(设计)人: 洪英博 申请(专利权)人: 欣兴电子股份有限公司
主分类号: H01L21/56 分类号: H01L21/56;H01L23/31;H01L23/528
代理公司: 北京中誉威圣知识产权代理有限公司 11279 代理人: 王正茂;丛芳
地址: 中国台湾桃园市*** 国省代码: 台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种封装体装置及其制造方法。封装体装置包含基板、重布局结构、电路板结构、第一连接件以及第一电子元件。重布局结构设置于基板上。重布局结构包含第一介电层以及第一金属层。电路板结构设置于重布局结构上。电路板结构包含第二介电层以及第二金属层,其中,电路板结构中的第二介电层有多个突起物嵌设于重布局层的第一介电层中。第一电子元件设置于重布局结构上,而第一连接件设置于重布局结构与第一电子元件之间,以连接重布局结构与第一电子元件。本发明可以提升封装体装置的接点合格率、结构稳定度和结构平整度。
搜索关键词: 封装 装置 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种封装体装置的制造方法,其特征在于,包含:在基板上形成至少一个重布局结构,形成所述重布局结构包含:在所述基板上形成第一介电层;移除部分的所述第一介电层以形成多个第一开口;以及在所述多个第一开口中填充第一金属层;在所述重布局结构的第一侧上形成多个沟槽;在所述重布局结构的所述第一侧上形成电路板结构,且所述重布局结构电性连接至所述电路板结构,其中,形成所述电路板结构包含:在所述重布局结构的所述第一侧上形成第二介电层,并在所述多个沟槽中填入所述第二介电层;移除部分的所述第二介电层以形成多个第二开口;以及在所述多个第二开口中填充第二金属层;以及移除所述基板。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于欣兴电子股份有限公司,未经欣兴电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710046117.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top