[发明专利]封装体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种封装体装置的制造方法，其特征在于，包含：

在基板上形成至少一个重布局结构，形成所述重布局结构包含：

在所述基板上形成第一介电层；

移除部分的所述第一介电层以形成多个第一开口；以及

在所述多个第一开口中填充第一金属层；

在所述重布局结构的第一侧上形成多个沟槽；

在所述重布局结构的所述第一侧上形成电路板结构，且所述重布局结构电性连接至所述电路板结构，其中，形成所述电路板结构包含：

在所述重布局结构的所述第一侧上形成第二介电层，所述第二介电层覆盖整个所述第一介电层，所述第二介电层的热膨胀系数小于所述第一介电层的热膨胀系数，并在所述多个沟槽中填入所述第二介电层，使得所述第二介电层位在所述多个沟槽中的多个部分的厚度与所述第一介电层的厚度相同；

移除部分的所述第二介电层以形成多个第二开口；以及

在所述多个第二开口中填充第二金属层；以及

移除所述基板。

2.如权利要求1所述的封装体装置的制造方法，其特征在于，还包含在所述重布局结构的相对于所述第一侧的第二侧上配置第一电子元件，以使所述第一电子元件电性连接至所述重布局结构。

3.如权利要求1所述的封装体装置的制造方法，其特征在于，在所述重布局结构形成所述多个沟槽是形成贯穿所述重布局结构的沟槽。

4.一种封装体装置的制造方法，其特征在于，包含：

在基板上形成至少一个重布局结构，形成所述重布局结构包含；

在所述基板上形成第一介电层；

移除部分的所述第一介电层以形成多个第一开口；以及

在所述多个第一开口中填充第一金属层；

移除部分的所述第一介电层，以在所述重布局结构的第一侧上形成多个沟槽；

在所述重布局结构的所述第一侧上配置第一电子元件，以使所述第一电子元件电性连接至所述重布局结构；

在所述重布局结构的所述第一侧上形成多个导电柱，并使所述多个导电柱电性连接至所述重布局结构；

形成模封层覆盖所述重布局结构与所述第一电子元件，且所述模封层覆盖整个所述第一介电层，所述模封层的热膨胀系数小于所述第一介电层的热膨胀系数，并在所述多个沟槽之中填入所述模封层；

薄化所述模封层，以暴露所述多个导电柱，使所述模封层与所述多个导电柱齐平；以及

移除所述基板。

5.如权利要求4所述的封装体装置的制造方法，其特征在于，在所述重布局结构形成所述多个沟槽是形成贯穿所述重布局结构的沟槽。

6.如权利要求4所述的封装体装置的制造方法，其特征在于，还包含：

在所述模封层上形成多个第二连接件，并使所述多个第二连接件电性连接所述多个导电柱；以及

在所述多个第二连接件上配置第二电子元件，以形成层叠封装结构。

7.一种封装体装置，其特征在于，包含：

至少一个重布局结构，包含：

第一介电层；以及

多个第一金属线路，位于所述第一介电层中；

电路板结构，设置于所述重布局结构的第一侧，所述电路板结构包含：

第二介电层，覆盖整个所述第一介电层，所述第二介电层的热膨胀系数小于所述第一介电层的热膨胀系数，其中所述第二介电层具有多个突起物嵌设于所述重布局结构中，且所述多个突起物的厚度与所述第一介电层的厚度相同；以及

多个第二金属线路，位于所述第二介电层中，且与所述重布局结构电性连接；第一电子元件，设置于所述重布局结构的相对于所述第一侧的第二侧上；以及

多个第一连接件，设置于所述重布局结构与所述第一电子元件之间，以电性连接所述重布局结构与所述第一电子元件。

8.如权利要求7所述的封装体装置，其特征在于，所述第二介电层的所述多个突起物贯穿所述重布局结构。

9.如权利要求7所述的封装体装置，其特征在于，所述第二介电层的杨氏模量大于所述第一介电层的杨氏模量。