[发明专利]封装体装置及其制造方法有效
申请号: | 201710046117.7 | 申请日: | 2017-01-22 |
公开(公告)号: | CN108346586B | 公开(公告)日: | 2020-06-09 |
发明(设计)人: | 洪英博 | 申请(专利权)人: | 欣兴电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L23/31;H01L23/528 |
代理公司: | 北京中誉威圣知识产权代理有限公司 11279 | 代理人: | 王正茂;丛芳 |
地址: | 中国台湾桃园市*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 封装 装置 及其 制造 方法 | ||
本发明公开了一种封装体装置及其制造方法。封装体装置包含基板、重布局结构、电路板结构、第一连接件以及第一电子元件。重布局结构设置于基板上。重布局结构包含第一介电层以及第一金属层。电路板结构设置于重布局结构上。电路板结构包含第二介电层以及第二金属层,其中,电路板结构中的第二介电层有多个突起物嵌设于重布局层的第一介电层中。第一电子元件设置于重布局结构上,而第一连接件设置于重布局结构与第一电子元件之间,以连接重布局结构与第一电子元件。本发明可以提升封装体装置的接点合格率、结构稳定度和结构平整度。
技术领域
本发明是有关于一种封装体装置及其制造方法。
背景技术
随着电子产业的蓬勃发展,电子产品也逐渐进入多功能、高性能的研发方向。为满足半导体元件高积集度(Integration)以及微型化(Miniaturization)的要求,重布局结构的各项要求也越来越高。举例来说,重布局结构中的线路的线宽与线距(Pitch)要求越来越小,线路重分布结构的整体厚度也希望越小越好。伴随着微型化的要求,势必需要提升接点合格率及整体可靠度。
在制备封装体装置时,后来形成的电路板装置会堆叠在先前已经形成好的重分布结构之上,此时先前已经形成好的重分布结构容易受到挤压而导致变形、翘曲,进而造成电路板装置与重分布结构之间接点合格率下降及整体可靠度下降的问题。为了改善上述的问题,相关领域莫不费尽心思开发。如何能提供一种具有高可靠度的封装体装置及其制备方法,实属当前重要研发课题之一,也成为当前相关领域亟需改进的目标。
发明内容
本发明的一个目的在于提供一种封装体装置及其制造方法,其可以提升封装体装置的接点合格率、结构稳定度和结构平整度。
根据本发明一实施方式,是提供一种封装体装置的制造方法,包含以下步骤。在基板上形成至少一个重布局结构,其包含以下步骤:在基板上形成第一介电层、移除部分的第一介电层以形成多个第一开口,并在第一开口中填充第一金属层。然后,在重布局结构的第一侧上形成多个沟槽。接着,在重布局结构的第一侧上形成电路板结构,且重布局结构电性连接至电路板结构。其中,形成电路板结构包含:在重布局结构的第一侧上形成第二介电层,并在沟槽中填入第二介电层、移除部分的第二介电层以形成多个第二开口、以及在第二开口中填充第二金属层。然后,移除基板。
在本发明的一个或多个实施方式中,还包含在重布局结构的相对于第一侧的第二侧上配置第一电子元件,以使第一电子元件电性连接至重布局结构。
在本发明的一个或多个实施方式中,其中在重布局结构中形成沟槽是形成贯穿重布局结构的沟槽。
根据本发明另一实施方式,一种封装体装置的制造方法包含以下步骤。在基板上形成至少一个重布局结构,其包含以下步骤:在基板上形成第一介电层、移除部分的第一介电层以形成多个第一开口、以及在第一开口中填充第一金属层。然后,移除部分的第一介电层,以在重布局结构的第一侧上形成多个沟槽。接着,在重布局结构的第一侧上配置第一电子元件,以使第一电子元件电性连接至重布局结构。然后,形成模封层覆盖重布局结构与第一电子元件,并将模封层填入沟槽中。接着,移除基板。
在本发明的一个或多个实施方式中,在重布局结构形成沟槽是形成贯穿重布局结构的沟槽。
在本发明的一个或多个实施方式中,还包含在形成模封层前,先在重布局结构的第一侧上形成多个导电柱,并使导电柱电性连接至重布局结构。
薄化模封层,以暴露导电柱。在模封层上形成多个第二连接件,并使第二连接件电性连接导电柱,以及在第二连接件上配置电子元件,以形成层叠封装结构(package onpackage)。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造