[发明专利]半导体装置以及用于制造半导体装置的方法有效
| 申请号： | 201710040163.6 | 申请日： | 2017-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN107123652B | 公开（公告）日： | 2023-06-06 |
| 发明（设计）人： | 三原竜善 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H10B43/30 | 分类号： | H10B43/30;H10B43/35;H01L29/792 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 金晓 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体装置以及用于制造半导体装置的方法。半导体装置包括包含主表面的半导体衬底、形成在主表面上方的元件分离膜以及从元件分离膜突出并且在平面视图中的第一方向上延伸的鳍。半导体装置进一步包括控制栅极电极和存储器栅极电极，其中控制栅极电极通过栅极绝缘膜沿着鳍的表面在与第一方向垂直的第二方向上延伸，并且与元件分离膜的第一主表面重叠，存储器栅极电极通过绝缘膜沿着鳍的表面在第二方向上延伸并且与元件分离膜的第二主表面重叠，其中相对于主表面，第二主表面低于第一主表面。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 以及 用于 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括第一主表面；元件分离膜，所述元件分离膜形成在所述第一主表面上方；突起部，所述突起部是所述半导体衬底的一部分，从所述元件分离膜突出并在平面视图中的第一方向上延伸；控制栅极电极，所述控制栅极电极沿着所述突起部的表面在与第一方向垂直的第二方向上延伸，并且与所述元件分离膜的第一部分的第二主表面重叠；第一绝缘膜，所述第一绝缘膜形成在所述控制栅极电极和所述突起部之间；存储器栅极电极，所述存储器栅极电极沿着所述突起部的表面在第二方向上延伸，并且与所述元件分离膜的第二部分的第三主表面重叠，以及第二绝缘膜，所述第二绝缘膜形成在所述存储器栅极电极和所述突起部之间，其中相对于第一主表面，第三主表面比第二主表面低。
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