[发明专利]绝缘栅双极型晶体管及其形成方法有效
| 申请号： | 201710038516.9 | 申请日： | 2017-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN108321188B | 公开（公告）日： | 2021-02-09 |
| 发明（设计）人： | 刘剑 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/08 | 分类号： | H01L29/08;H01L29/739;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种绝缘栅双极型晶体管及其形成方法，晶体管包括：包括集电极层和集电极层上的体层的半导体层，半导体层有元胞区和位于元胞区周围的边缘区，元胞区包括第一区和第一区周围的第二区；元胞区体层中的阱区；元胞区体层中的漂移区，且漂移区位于阱区与集电极层之间，漂移区的导电类型分别与阱区和集电极层的导电类型相反；位于元胞区体层中的若干栅极结构，所述栅极结构贯穿阱区且延伸至漂移区中；位于栅极结构两侧阱区中顶部区域的源漏掺杂区和欧姆接触区，源漏掺杂区在栅极结构和欧姆接触区之间；第二区源漏掺杂区的尺寸小于第一区源漏掺杂区的尺寸，第二区欧姆接触区的尺寸大于第一区欧姆接触区的尺寸。所述晶体管的电学性能提高。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘 栅双极型 晶体管 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，包括：半导体层，所述半导体层包括集电极层和位于集电极层上的体层，所述半导体层具有元胞区和位于元胞区周围的边缘区，所述元胞区包括第一区和位于第一区周围的第二区；位于元胞区体层中的阱区；位于元胞区体层中的漂移区，且所述漂移区位于阱区与集电极层之间，所述漂移区的导电类型分别与阱区和集电极层的导电类型相反；位于元胞区体层中的若干栅极结构，所述栅极结构贯穿阱区且延伸至漂移区中；位于栅极结构两侧阱区中顶部区域的源漏掺杂区，所述源漏掺杂区的导电类型和阱区的导电类型相反，第二区源漏掺杂区的尺寸小于第一区源漏掺杂区的尺寸；位于阱区中顶部区域的欧姆接触区，所述源漏掺杂区位于栅极结构和欧姆接触区之间，所述欧姆接触区的导电类型和所述阱区的导电类型相同，第二区欧姆接触区的尺寸大于第一区欧姆接触区的尺寸。
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