[发明专利]绝缘栅双极型晶体管及其形成方法

权利要求书

1.一种绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，包括：

半导体层，所述半导体层包括集电极层和位于集电极层上的体层，所述半导体层具有元胞区和位于元胞区周围的边缘区，所述元胞区包括第一区和位于第一区周围的第二区；

位于元胞区体层中的阱区；

位于元胞区体层中的漂移区，且所述漂移区位于阱区与集电极层之间，所述漂移区的导电类型分别与阱区和集电极层的导电类型相反；

位于元胞区体层中的若干栅极结构，所述栅极结构贯穿阱区且延伸至漂移区中；

位于栅极结构两侧阱区中顶部区域的源漏掺杂区，所述源漏掺杂区的导电类型和阱区的导电类型相反，第二区源漏掺杂区的尺寸小于第一区源漏掺杂区的尺寸；

位于阱区中顶部区域的欧姆接触区，所述源漏掺杂区位于栅极结构和欧姆接触区之间，所述欧姆接触区的导电类型和所述阱区的导电类型相同，第二区欧姆接触区的尺寸大于第一区欧姆接触区的尺寸。

2.根据权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，自所述元胞区到所述边缘区的方向上，相邻第二区栅极结构之间的源漏掺杂区的尺寸相同，且第二区栅极结构远离所述元胞区一侧的源漏掺杂区相对于靠近所述元胞区另一侧的源漏掺杂区的尺寸减小；自所述元胞区到所述边缘区的方向上，第二区欧姆接触区的尺寸递增。

3.根据权利要求2所述的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，自所述元胞区到所述边缘区的方向上，相邻第二区栅极结构之间的源漏掺杂区的尺寸相同，且第二区栅极结构远离所述元胞区一侧的源漏掺杂区相对于靠近所述元胞区另一侧的源漏掺杂区减小的尺寸相同；自所述元胞区到所述边缘区的方向上，第二区相邻欧姆接触区增加的尺寸相同。

4.根据权利要求3所述的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，第二区的源漏掺杂区具有第一最大尺寸；第二区的欧姆接触区具有第二最大尺寸；自所述元胞区到所述边缘区的方向上，相邻第二区栅极结构之间的源漏掺杂区的尺寸相同，且第二区栅极结构远离所述元胞区一侧的源漏掺杂区相对于靠近所述元胞区另一侧的源漏掺杂区减小的尺寸为第一最大尺寸的1/3～1/5；自所述元胞区到所述边缘区的方向上，第二区相邻欧姆接触区增加的尺寸为第二最大尺寸的1/3～1/5。

5.根据权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，自所述元胞区到所述边缘区的方向上，第二区源漏掺杂区的尺寸递减，第二区欧姆接触区的尺寸递增。

6.根据权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，所述半导体层还包括缓冲层，所述缓冲层位于所述集电极层和所述体层之间，所述缓冲层的导电类型和所述漂移区的导电类型相同。

7.根据权利要求6所述的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，所述缓冲层中具有缓冲离子；所述漂移区中具有漂移离子；所述缓冲离子的浓度大于所述漂移离子的浓度。

8.根据权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，所述欧姆接触区中具有欧姆接触离子；所述阱区中具有阱离子；所述欧姆接触离子的浓度大于所述阱离子的浓度。

9.根据权利要求1所述的绝缘栅双极型晶体管，其特征在于，所述边缘区包括过度区和与过度区邻接的终端保护区，所述过度区位于所述元胞区和所述终端保护区之间；所述绝缘栅双极型晶体管还包括：位于所述过度区体层中的镇流结构；位于所述终端保护区体层中保护结构。