[发明专利]集成式半导体功率开关器件

摘要

本发明涉及微电子技术领域，具体而言，涉及一种集成式半导体功率开关器件。该集成式半导体功率开关器件包括：半导体功率开关、检测通过所述半导体功率开关的电流是否过流的电压嵌位与采样电路、及在所述电压嵌位与采样电路检测到通过所述半导体功率开关的电流过流时使所述半导体功率开关断开的驱动关断电路。该集成式半导体功率开关器件，采用了集成式的器件结构，缩短了过流保护的信号采样‑传递‑处理‑执行的路径，减低过流保护的响应延时，实现了对每一个半导体功率开关的过流保护，适用于任何拓扑结构，消除了封装的管脚电感和PCB走线电感，明显减小了寄生电感，除去了前沿消隐电路，提高了过流保护的可靠性。

主权项

1.一种集成式半导体功率开关器件（1），其特征在于，包括：半导体功率开关（S1）、检测通过所述半导体功率开关（S1）的电流是否过流的电压嵌位与采样电路（30）、及在所述电压嵌位与采样电路（30）检测到通过所述半导体功率开关（S1）的电流过流时使所述半导体功率开关（S1）断开的驱动关断电路（50），其中：所述半导体功率开关（S1）包括高位端（101）、低位端（103）和控制端（105），所述电压嵌位与采样电路（30）包括第一输入端（301）、第二输入端（303）和第一输出端（305），所述驱动关断电路（50）包括第三输入端（501）、第四输入端（503）和第二输出端（505）；所述半导体功率开关（S1）的高位端（101）分别与高电位引脚（HV）和所述电压嵌位与采样电路（30）的第一输入端（301）连接，低位端（103）分别与接地引脚（GND）和所述电压嵌位与采样电路（30）的第二输入端（303）连接；所述电压嵌位与采样电路（30）的第一输出端（305）与所述驱动关断电路（50）的第三输入端（501）连接；所述驱动关断电路（50）的第四输入端（503）与控制引脚（Driver）连接，第二输出端（505）与所述半导体功率开关（S1）的控制端（105）连接；其中，所述电压嵌位与采样电路（30）包括：电压嵌位电路（31）和电压采样电路（33），其中，电压嵌位电路（31）在所述半导体功率开关（S1）断开时，确保所述电压采样电路（33）不工作，电压采样电路（33）在所述半导体功率开关（S1）导通时，检测通过所述半导体功率开关（S1）的电流是否过流；所述电压嵌位电路（31）的输入端与所述半导体功率开关（S1）的高位端（101）和所述高电位引脚（HV）分别连接，所述电压嵌位电路（31）的输出端和所述电压采样电路（33）的输入端连接，所述电压采样电路（33）的输出端与所述驱动关断电路（50）的第三输入端（501）连接。