[发明专利]一种III-V族半导体MOSHEMT器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201710026316.1 | 申请日： | 2017-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN106783613B | 公开（公告）日： | 2022-12-13 |
| 发明（设计）人： | 李海鸥;马磊;李思敏;首照宇;李琦;王盛凯;陈永和;张法碧;肖功利;傅涛;李跃;常虎东;孙兵;刘洪刚 | 申请（专利权）人： | 桂林电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335;H01L29/778;H01L29/06;H01L29/20 |
| 代理公司： | 桂林市持衡专利商标事务所有限公司 45107 | 代理人： | 陈跃琳 |
| 地址： | 541004 广西*** | 国省代码： | 广西;45 |
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| 摘要： |
本发明公开一种III‑V族半导体MOSHEMT器件及其制备方法，其组分渐变缓冲层降低III‑V半导体之间晶格失配，减少位错引进的缺陷。同时该器件结构不仅降低MOS界面态密度，并且通过对外延材料采用高In组分In |
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| 搜索关键词： | 一种 iii 半导体 moshemt 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种III‑V族半导体MOSHEMT器件的制备方法，其特征是，包括如下步骤：步骤S1：在单晶衬底(101)上外延形成变In组分InxAl1‑xAs缓冲层(102)；步骤S2：在变In组分InxAl1‑xAs缓冲层(102)上外延形成In0.52Al0.48As缓冲层(103)；步骤S3：在In0.52Al0.48As缓冲层(103)上外延生长第一层In0.5Ga0.5As沟道层(105)；步骤S4：在第一层In0.7Ga0.3As沟道层(105)外延生长第二层In0.6Ga0.4As沟道层(106)；步骤S5：在第二层In0.6Ga0.4As沟道层(106)外延生长第三层In0.5Ga0.5As沟道层(107)；步骤S6：在第三层In0.5Ga0.5As沟道层(107)外延形成In0.52Al0.48As势垒层(109)；步骤S7：在In0.52Al0.48As势垒层(109)上外延形成重掺杂的窄带隙欧姆接触层(110)；步骤S8：在步骤S7所得的外延结构的窄带隙欧姆接触层(110)中刻出有源区，该有源区刻至In0.52Al0.48As势垒层(109)；步骤S9：在窄带隙欧姆接触层(110)的上方形成源漏金属(111)；步骤S10：对源漏金属(111)进行腐蚀，形成栅槽；步骤S11：在有源区和栅槽中生长栅介质(112)；步骤S12：在栅介质(112)上形成T形的栅金属(113)。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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