[发明专利]制造含高电阻率层的半导体结构的方法及相关半导体结构有效
| 申请号： | 201710022513.6 | 申请日： | 2017-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN107068571B | 公开（公告）日： | 2021-09-10 |
| 发明（设计）人： | I·拉杜;E·德博内 | 申请（专利权）人： | SOITEC公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L23/14;H01L23/48 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 制造含高电阻率层的半导体结构的方法及相关半导体结构。形成半导体结构(140)的方法包括：在初始衬底(102)上形成器件层(100)；将器件层(100)的第一表面附接至临时衬底；以及通过去除初始衬底(102)的一部分来在器件层(100)的第二表面上形成高电阻率层(136)。该方法进一步包括，将最终衬底(132)附接至高电阻率层(136)，以及去除临时衬底。通过这样的方法制造的半导体结构(140)，其包括最终衬底(132)、设置在最终衬底(132)上的高电阻率层(136)以及设置在高电阻率层(136)上的器件层(100)。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 电阻率 半导体 结构 方法 相关 | ||
【主权项】：
一种形成半导体结构(140、240)的方法，包括：在初始衬底(102)上形成器件层(100、200)；将器件层(100、200)的第一表面附接至临时衬底(114、214)；形成高电阻率层(136、236)，其中，形成高电阻率层包括去除初始衬底(102)的一部分，高电阻率层包括初始衬底的剩余部分(102'、202')；将最终衬底(132、232)附接至高电阻率层(136、236)；以及去除临时衬底(114、214)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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