[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201710022300.3 | 申请日： | 2017-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN107039533B | 公开（公告）日： | 2021-01-08 |
| 发明（设计）人： | 花田明纮;渡壁创;渡部一史 | 申请（专利权）人： | 株式会社日本显示器 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 徐殿军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本实施方式提供一种半导体装置，具备：绝缘基板；位于所述绝缘基板的上方的硅制的第一半导体层；位于比所述第一半导体层靠上方的位置的金属氧化物制的第二半导体层；位于所述第一半导体层与所述第二半导体层之间的硅氮化物制的第一绝缘膜；以及位于所述第一绝缘膜与所述第二半导体层之间、且与所述第一绝缘膜相比氢的扩散性更低的阻挡层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，具备：绝缘基板；硅制的第一半导体层，位于所述绝缘基板的上方；金属氧化物制的第二半导体层，位于比所述第一半导体层靠上方的位置；硅氮化物制的第一绝缘膜，位于所述第一半导体层与所述第二半导体层之间；以及阻挡层，位于所述第一绝缘膜与所述第二半导体层之间，与所述第一绝缘膜相比氢的扩散性更低。
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